●1章半導體器件
●1.1N型半導體和P型半導體
●1.2PN結二極管
●1.2.1PN結自建電壓
●1.2.2理想PN結二極管方程
●1.3雙極型晶體管
●1.4金屬-氧化物-半導體場效應晶體管
●1.4.1線性模型
●1.4.2非線性模型
●1.4.3閾值電壓
●1.4.4襯底偏置效應
●1.4.5亞閾值電流
●1.4.6亞閾值理想因子的推導
●1.5CMOS器件面臨的挑戰
●1.6結型場效應晶體管
●1.7肖特基勢壘柵場效應晶體管
●1.8高電子遷移率晶體管
●1.9無結場效應晶體管
●1.9.1圓柱體全包圍柵無結場效應晶體管突變耗盡層近似器件模
●1.9.2圓柱體全包圍柵無結場效應晶體管完整器件模型......
內容簡介
本書共19章,涵蓋優選集成電路工藝的發展史,集成電路制造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、表面清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學機械平坦化,器件參數與工藝相關性,DFM(Design for Manufacturing),集成電路檢測與分析、集成電路的可靠性,生產控制,良率提升,芯片測試與芯片封裝等內容。 再版時加強了半導體器件方面的內容,增加了優選的FinFET、3D NAND存儲器、CMOS圖像傳感器以及無結場效應晶體管器件與工藝等內容。