●緒論 1
●第1章 半導體中光子-電子的相互作用 4
●1.1 半導體中量子躍遷的特點 4
●1.2 直接帶隙與間接帶隙躍遷 5
●1.2.1 概述 5
●1.2.2 電子在能帶之間的躍遷幾率 7
●1.2.3 電子在淺雜質能級和與其相對的能帶之間的躍遷 11
●1.2.4 重摻雜時的帶-帶躍遷 13
●1.3 光子密度分布與能量分布 14
●1.4 電子態密度與占據幾率 16
●1.5 躍遷速率與愛因斯坦關繫 20
●1.5.1 淨的受激發射速率和半導體激光器粒子數反轉條件 22
●1.5.2 自發發射與受激發射速率之間的關繫 24
●1.5.3 淨的受激發射速率與增益繫數的關繫 25
●1.5.4 淨的受激吸收速率與吸收繫數 25
●1.6 半導體中的載流子復合 26
●1.6.1 自發輻射復合速率 27
●1.6.2 俄歇（Auger）復合 31
●1.7 增益繫數與電流密度的關繫 36
●思考與習題 42......
內容簡介
半導體光電子學是研究半導體中光子與電子相互作用、光能與電能相互轉換的一門科學，涉及量子力學、固體物理、半導體物理等一些基礎物理，也關聯著半導體光電子材料及其相關器件，在信息和能源等領域有著廣泛的應用。 半導體光電子器件的性能改善無不是通過不斷優化半導體材料和器件結構以增強電子與光子的相互作用、實現高效電能與光能相互轉換的結果，其中異質結所形成的電子勢壘和光波導的雙重效應起到了關鍵作用。全書分十章，各章內容相互關聯，形成當今半導體光電子學較為完整的、理論和實際應用相結合的繫統。
