《多晶硅與硅片生產技術》由梁宗存、瀋輝、史珺、任麗、張新等所著，全書內容由瀋輝博士策劃與組織，由工作在**線的高校、行業界多名科研與技術人員共同編寫，其中有些內容來自梁宗存、瀋輝等用於本科生和研究生教學的部分講稿內容，主要內容包括晶體硅的物理性能、硅源合成工藝、高純多晶硅和太陽級硅原料的生產工藝、硅晶體生長工藝和硅片生產技術等。全書圖文並茂，理論與實際結合，特別是針對晶體硅太陽電池技術的發展特點與需求，對多晶硅與硅片的新技術、新發展做了比較詳細、繫統的介紹。

太陽電池可以實現太陽光直接轉換為電力，目前 晶體硅太陽電池是光伏發電的主流產品。 《多晶硅與硅片生產技術》由梁宗存、瀋輝、史 珺、任麗、張新等所著，本書首先介紹了晶體硅的物 理特性、太陽電池基本結構和標準電池工藝；並在介 紹多晶硅原料制備原理、硅源化合物材料性能和制備 基礎上，著重介紹高純多晶硅和太陽級多晶硅的制備 與各種提純生產工藝；最後，詳細闡述了硅的晶體生 長和硅片的生產工藝。 《多晶硅與硅片生產技術》可供大專院校從事光 伏、半導體材料與器件、材料科學與工程等領域的師 生作為教學參考書，也可供從事太陽能光伏研究、技 術開發和產業生產的科技人員和工程師參考。

第1章 晶體硅的物理特性
1.1 晶體結構
1.2 能帶和能級
1.3 電學性質
1.3.1 本征載流子
1.3.2 施主與受主
1.3.3 非平衡載流子的產生和復合
1.3.4 電阻率
1.3.5 遷移率
1.3.6 載流子擴散
1.4 光學性質
1.4.1 吸收繫數
1.4.2 折射率和反射率
1.5 力學和熱學性質
1.5.1 彈性常數
1.5.2 硬度
1.5.3 熱膨脹繫數
1.5.4 熱導率
1.6 pn結
1.6.1 擴散法
1.6.2 離子注入
1.7 晶體硅太陽電池常規結構與工藝
參考文獻
第2章 硅源合成工藝
2.1 各種硅源的制備技術
2.1.1 硅石
2.1.2 冶金級硅
2.1.3 三氯氫硅(trichlorosilane:TCS)
2.1.4 四氯化硅（SiCl4）
2.1.5 二氯二氫硅（SiH2Cl2）
2.1.6 硅烷(SiH4)
2.2 物理性質
2.2.1 密度(液態)
2.2.2 蒸氣壓
2.2.3 比熱容（液態）
2.3 化學性質
2.3.1 安全性
2.3.2 著火和**性
2.3.3 對材料的腐蝕性
參考文獻
第3章 電子級多晶硅的制備
3.1 改良西門子法制備多晶硅
3.1.1 改良西門子法熱力學
3.1.2 改良西門子法動力學
3.2 改良西門子法工藝
3.2.1 原料繫統
3.2.2 反應繫統
3.2.3 尾氣回收
3.2.4 SiCl4冷氫化
3.2.5 改良西門子法發展趨勢
3.3 其他氯硅烷法制備多晶硅
3.3.1 SiH2Cl2制備多晶硅
3.3.2 SiCl4制備多晶硅
3.4 硅烷法制備多晶硅工藝
3.4.1 Asimi工藝
3.4.2 MEMC工藝
3.5 多晶硅材料的評價
參考文獻
第4章 冶金法太陽級多晶硅提純技術
4.1 冶金法多晶硅的進展
4.2 冶金法多晶硅的提純工藝
4.2.1 金屬硅的冶煉：從礦石到單質硅
4.2.2 高純金屬硅冶煉工藝
4.2.3 爐外精煉
4.2.4 濕法冶金
4.2.5 真空熔煉與定向凝固
4.3 硅料的儲運和處理
4.3.1 金屬硅的儲運和處理
4.3.2 爐外精煉的硅料處理
4.3.3 濕法硅料的處理
4.3.4 真空裝料處理
4.4 冶金法多晶硅的生產設備
4.4.1 金屬硅冶煉設備
4.4.2 爐外精煉設備
4.4.3 濕法冶煉設備
4.4.4 真空熔煉與鑄錠設備
4.4.5 物料處理設備
4.4.6 坩埚噴塗與燒結設備
4.5 冶金法多晶硅的安全生產問題
4.5.1 爐外精煉的安全問題
4.5.2 濕法冶金的安全生產
4.5.3 真空鑄錠時的安全生產
4.6 冶金法多晶硅的應用
4.6.1 冶金法多晶硅的成本優勢
4.6.2 冶金法多晶硅的應用情況
4.6.3 冶金法多晶硅應用中存在的問題及對策
4.6.4 冶金法多晶硅的質量標準
4.6.5 冶金法多晶硅的應用趨勢
參考文獻
第5章 其他太陽級多晶硅提純技術
5.1 流化床法
5.1.1 SiH4流化床法
5.1.2 TCS流化床法
5.2 無氯法
5.3 直接冶煉法
5.3.1 原材料的處理
5.3.2 碳熱還原過程
5.3.3 硅的提煉
5.4 區域熔化提純法
5.5 氣液沉積法（VLD技術）
5.6 常壓碘化學氣相傳輸淨化法
5.7 電化學熔鹽電解法
5.7.1 熔鹽直接電解SiO2制備多晶硅
5.7.2 熔鹽電解精煉冶金硅
5.8 其他方法
5.9 太陽級硅的存在問題和解決辦法
5.9.1 存在問題
5.9.2 解決辦法
參考文獻
第6章 硅晶體生長工藝
6.1 直拉法制備單晶硅
6.1.1 直拉法制備單晶硅的原理
6.1.2 直拉單晶生長繫統簡介
6.1.3 直拉法晶體生長工藝
6.2 懸浮區熔法制備單晶硅工藝
6.2.1 原理
6.2.2 區熔單晶爐
6.2.3 區熔工藝
6.3 多晶硅制備技術
6.3.1 多晶硅生長原理
6.3.2 多晶硅鑄錠工藝
6.3.3 多晶硅鑄錠爐
6.3.4 未來的發展趨勢
6.4 摻雜工藝
6.4.1 直拉單晶硅的摻雜
6.4.2 區熔硅單晶的摻雜
6.5 帶狀多晶硅制造技術
6.5.1 定邊喂膜帶硅技術
6.5.2 枝蔓蹼狀(DWeb)帶硅技術
6.5.3 SR帶硅技術
6.5.4 RGS帶硅技術
6.5.5 SSP帶硅技術
參考文獻
第7章 硅片生產技術
7.1 外圓加工
7.2 內圓切割
7.3 多線鋸切割技術
7.3.1 多線鋸切割原理
7.3.2 多線鋸切割的優點
7.3.3 多線鋸切割走線方式
7.3.4 多線鋸切割漿料
7.3.5 多線鋸切割切削液
7.3.6 碳化硅
7.3.7 影響線切硅片的質量因素
7.3.8 多線鋸切割設備的發展和組成部分
7.3.9 硅片加工的發展趨勢
7.4 清洗及腐蝕
7.4.1 預清洗
7.4.2 去除硅片表面切割損傷和制絨
7.5 硅片絨面制備技術
7.5.1 機械刻槽工藝
7.5.2 等離子刻蝕法
7.5.3 光刻技術
7.5.4 電化學腐蝕法
7.5.5 濕化學腐蝕法
參考文獻
附錄1 物理常數
附錄2 晶體硅的部分特性（300K）
附錄3 符號一覽表