姜衛粉所著的《碳納米管硅巢狀陣列的制備及物
性研究》采用一種獨特的、具有微米納米復合結構的
硅納米孔柱陣列為基底，采用化學氣相沉積技術制備
出具有微納復合結構的巢狀陣列結構薄膜，然後分別
從碳納米管／硅巢狀陣列的生長工藝、浮動催化裂解
法制備碳納米管的生長機理、場致發射性能優化、電
阻型與電容型濕度傳感器性能的改善、表面增強拉曼
散射性能幾方面進行了較為深入的研究。
本書對這種納米薄膜材料的研究比較繫統、性能
比較全面、所得結論比較深刻，適於作為研究生的教
學參考書，有助於他們在學習納米薄膜材料的過程中
掌握基本原理和實驗方法，也可供從事相關領域研究
的科研人員參考。

前言
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 CNTs的結構及性能
1.3 CNTs薄膜的制備
1.3.1 移植法制備CNTs薄膜
1.3.2 直接生長法制備CNTs薄膜
1.4 CNTs的生長機理
1.5 CNTs薄膜的應用研究
1.5.1 CNTs的場致發射
1.5.2 CNTs的傳感性能
1.6 硅納米孔柱陣列
1.6.1 Si—NPA的制備
1.6.2 Si—NPA的結構與表面形貌
1.6.3 Si—NPA的場致發射及濕敏性能
1.6.4 Si-NPA酒敏性能研究
1.6.5 Si—NPA存在的問題
1.7 本書研究的內容
第2章 NACNT／Si—NPA的制備及生長機理
2.1 引言
2.2 NACNT／Si-NPA的制備、表面形貌和結構表征及成分分析
2.2.1 NACNT／Si—NPA的制備
2.2.2 不同沉積時間的NACNT／Si—NPA形貌結構及成分表征
2.2.3 不同沉積溫度對NACNT／Si—NPA形貌的影響
2.3 NACNT／Si—NPA形成機理
2.3.1 無金屬催化劑在Si-NPA上生長CNTs的形成機理
2.3.2 在Si—NPA襯底上預沉積催化劑的CNTs生長機理
2.3.3 NACNT／S卜NPA浮動催化生長過程機理分析
2.4 本章小結
第3章 NACNT／Si—NPA的場致發射性能
3.1 引言
3.2 電子發射基本原理
3.2.1 場致電子發射基本原理
3.2.2 場致發射性能評價指標及可采取的優化措施
3.3 NACNT／Si—NPA的場致電子發射
3.3.1 場致發射測試
3.3.2 不同溫度制備的NACNT／Si—NPA的場致發射性能
3.3.3 極限場強測試
3.3.4 NACNT／Si—NPA尚未解決的問題
3.4 本章小結
第4章 NACNT／Si-NPA濕敏性能研究
4.1 引言
4.2 濕敏測試試驗設計
4.2.1 濕度標定繫統的設計
4.2.2 濕度信號的檢測
4.2.3 濕度傳感器的特征參數
4.3 電阻式NACNT／Si-NPA濕敏元件性能測試及分析
4.3.1 電阻式NACNT／Si-NPA濕敏元件的制作
4.3.2 濕敏元件感濕特性的測試
4.4 電容式NACNT／Si-NPA濕敏元件性能測試及分析
4.4.1 濕敏元件的制備及其形貌和結構表征
4.4.2 Si-NPA及NACNT／Si-NPA電容濕敏性能測試及分析
4.5 本章小結
第5章 Au／NACNT／Si-NPA的SERS效應研究
5.1 引言
5.2 SERS增強原理、應用及活性基底研究進展
5.2.1 拉曼散射與SERS
5.2.2 SERS增強原理
5.2.3 SERS光譜的分析
5.2.4 sERs在生命科學中的應用
5.2.5 SERS活性基底
5.3 Au／NACNT的SERS性能研究
5.3.1 Au／NACNT的制備及SERS性能測試
5.3.2 Au／NACNT的形貌結構及性能
5.4 結論
參考文獻