序
前言
第1章 半導體量子點的自組織生長
1.1 量子點材料的類型和性質
1.2 量子點自組織生長的基本原理
1.3 基於S-K模式的量子點自組織生長
1.3.1 InAs／GaAs量子點
1.3.2 InSla／GaSh量子點
1.3.3 CdSe量子點
1.3.4 Ge／Si量子點
1.4 有序量子點的可控自組織生長
1.4.1 垂直排列量子點的生長
1.4.2 高指數面襯底上的量子點生長
1.4.3 圖形化襯底上的量子點生長
1.4.4 采用近場光的納米結構加工
1.4.5 有序Si基納米結構的自組織化生長
1.5 量子點的化學合成方法簡介
1.5.1 化學氣相沉積法
1.5.2 溶膠一凝膠法
1.5.3 模板合成法
1.5.4 化學溶液沉澱法
參考文獻
第2章 半導體量子點的物理性質
2.1 半導體量子點中的電子狀態
2.1.1 箱形量子點
2.1.2 球形量子點
2.1.3 Ⅱ型量子點
2.2 量子點中的電子輸運性質
2.2.1 單電子隧穿與庫侖阻塞
2.2.2 耦合量子點中的電子輸運
2.3 量子點的光學性質
2.3.1 量子尺寸約束效應
2.3.2 量子限制斯塔克效應
2.3.3 光學非線性效應
2.3.4 量子點中的激子態
2.4 量子點的磁學性質
2.4.1 近籐效應
2.4.2 自旋磁阻現像
2.5 半導體量子點的器件應用
參考文獻
第3章 量子點激光器
3.1 量子點激光器的物理性能
3.1.1 高度壓縮的態密度
3.1.2 閾值電流密度
3.1.3 微分增益
3.1.4 調制特性
3.2 量子點激光器對材料性質的要求
3.3 不同類型的量子點激光器
3.3.1 Ⅲ-V族化合物量子點激光器
3.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物量子點激光器