艾爾斯編著的《數字集成電路分析與設計（第2版）》內容豐富全面，共分為12章。第l章是對深亞微米時代數字集成電路的透視，由此引出了隨後各章的主題。第2章介紹集成電路制造工藝。第3章介紹PN結的電學特性。第4章介紹MOS晶體管電學特性和短溝道器件效應。第5章以數字反相器為代表討論MOS門電路，引入了電壓傳輸特性、噪聲容限、反相器結構和簡單時序、功耗計算的相關概念。研究靜態NAND門、NOR門和其他復雜門的設計問題。第6章探討靜態CMOS電路。第7章討論數字集成電路中互連線問題。第8章探討動態CMOS電路。第9章介紹低功耗CMOS設計中的一些問題。**0章介紹一些雙穩態電路。**1章探討半導體數字存儲器的結構、存取機制和單元構造。**2章討論數字集成電路輸入／輸出所涉及的ESD保護和輸出驅動問題，以及在不同工作電壓下電路間的接口電路設計問題。附錄給出了相關內容的一些有用的參考資料。
本書較為全面地反映了數字集成電路設計技術的相關內容，可作為高等院校微電子、計算機、電子工程等專業本科生和研究生的教材和參考書，也可供從事相關領域工作的技術人員參考。

數字集成電路功能和性能指數性的增加，徹底改 變了我們的生活和工作。MOS晶體管尺 寸的不斷減小，擴大了電路技術的使用範圍，而在技 術實現一些年後有關這方面的書籍仍然 缺乏。 艾爾斯編著的《數字集成電路分析與設計（第2 版）》從現代跨學科的觀點出發，重點介紹基本原理 ， 可供將來要從事集成電路設計的工程師使用。它給從 事超大規模集成電路設計與制造的工程 師提供一個修訂的教學參考書，本書關注該領域最新 的進展，包括器件尺寸不斷減小的情況 下工作原理新的應用。 《數字集成電路分析與設計（第2版）》的初衷 是在目前有關晶體管電子學和VLSI設計與制造作為一 個獨立主題的眾多領域 的教材間起到橋梁作用。像第1版一樣，這本書對集成 電路工程師和該領域研究人員至關 重要，為他們從事更先進的工作提供所需要的跨學科 的引導。 出於教學的目的，作者采用SPICE level 1計算 機模擬模型，但還引入了廣泛用於VLSI設 計的BSIM模型。使得使用者在手算分析和SPICE模擬 之間形成一個對器件和電路設計更直觀 的聯繫。 在新增加的4章中，增加了超過200個新的插圖。 以及大量的實例分析，並提供了一個網 址。這本教材大大擴展了第一版中出現的概念。

第1章 引言
1.1 歷史展望與摩爾定律
1.2 數字集成電路的電學性能
1.2.1 邏輯功能
1.2.2 靜態電壓傳輸特性
1.2.3 瞬態特性
1.2.4 扇入和扇出
1.2.5 功耗
1.2.6 功率延遲積
1.3 計算機輔助設計與驗證
1.4 制造
1.5 半導體和結
1.6 MOS晶體管
1.7 MOS門電路
1.8 互連
1.9 動態CMOS
1.10 低功耗CMOS
1.11 雙穩態電路
1.12 存儲器
1.13 輸入／輸出和接口電路
1.14 實際的觀點
1.15 小結
練習題
參考文獻
第2章 制造
第3章 半導體和pn結
第4章 MOS晶體管
第5章 MOS門電路
第6章 靜態CMOS
第7章 互連線
第8章 動態CMOS
第9章 低功耗CMOS電路
**0章 雙穩態電路
**1章 數字存儲器
**2章 輸入／輸出和接口電路
附錄A 符號列表
附錄B **單位制
附錄C 數量級前綴
附錄D 希臘字母
附錄E 物理常數
附錄F 在300K時硅和锗的特性
附錄G 在300K時二氧化硅的特性
附錄H 重要的方程式
附錄I 設計規則
附錄J pn結開關瞬態特性
附錄K 雙極和BiCMOS電路
附錄L 集成電路封裝