●第1章 半導體特性 1
●1.1 半導體的晶體結構 2
●1.1.1 晶體的結構 2
●1.1.2 晶面與晶向 3
●1.2 半導體中的電子狀態 4
●1.2.1 能級與能帶 4
●1.2.2 本征半導體的導電機制 7
●1.3 雜質與缺陷 8
●1.3.1 雜質與雜質能級 8
●1.3.2 缺陷與缺陷能級 11
●實驗1 晶體缺陷的觀測 12
●1.4 熱平衡載流子 13
●1.4.1 費米能級與載流子濃度 14
●1.4.2 本征半導體的載流子濃度 17
●1.4.3 雜質半導體的載流子濃度 18
●1.5 非平衡載流子 19
●1.5.1 非平衡載流子的注入 19
●1.5.2 非平衡載流子的復合 20
●實驗2 高頻光電導衰減法測量硅中少子壽命 21
●1.5.3 復合機制 24
●部分目錄
本書根據教育部新的課程改革要求，在已取得多項教學改革成果的基礎上進行編寫。內容主要包括半導體物理和晶體管原理兩部分，其中，靠前章介紹半導體材料特性，第2～3章繫統闡述PN結和雙極型晶體管，第4～5章繫統闡述半導體表面特性和MOS型晶體管，第6章介紹其他幾種常用的半導體器件。全書結合高等職業院校的教學特點，側重於物理概念與物理過程的描述，並在各章節設有操作實驗和仿真實驗，內容與企業生產實踐相結合，適當配置工藝和版圖方面的知識，以方便開展教學。本書為高等職業本專科院校相應課程的教材，也可作為開放大學、成人教育、自學考試、中職學校、培訓班的教材，以及半導體行業工程技術人員的參考書。本書提供免費的電子教學課件、習題參考答案等資源，相關介紹詳見前言。
