●第1章半導體紫外光電探測器概述
1.1引言
1.2寬禁帶半導體紫外光電探測器的技術優勢
1.3紫外光電探測器產業發展現狀
1.4本書的章節安排
參考文獻
第2章紫外光電探測器的基礎知識
2.1半導體光電效應的基本原理
2.2紫外光電探測器的基本分類和工作原理
2.2.1P-N/P-I-N結型探測器
2.2.2肖特基勢壘探測器
2.2.3光電導探測器
2.2.4雪崩光電二極管
2.3紫外光電探測器的主要性能指標
2.3.1光電探測器的性能參數
2.3.2雪崩光電二極管的性能參數
參考文獻
……

高性能紫外光電探測器是國防預警與跟蹤、環境監控、生命科學等領域急需的關鍵部件。由於具有性能優勢，因此寬禁帶半導體已成為制備紫外光電探測器的優選材料，目前主要包括Ⅲ族氮化物半導體、碳化硅、氧化物半導體和金剛石材料等。本書基於國內外寬禁帶半導體紫外光電探測材料及器件的發展現狀和趨勢，從材料特性、探測器設計、器件工藝和紫外光電響應特性等方面詳述了寬禁帶半導體紫外光電探測器所面臨的關鍵科學技術問題、主要技術成果、產業應用情況和發展前景。本書可為從事寬禁帶半導體紫外光電材料和器件研發、生產的科技工作者、企業工程技術人員和研究生提供有價值的參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的政府官員和企業人員學習參考。