D1章電源分配網絡工程  
11電源分配網絡的定義及關心它的原因  
12PDN工程  
13PDN的魯棒性設計  
14建立PDN阻抗曲線  
15總結  
參考文獻  
D2章PDN阻抗設計基本原理  
21關心阻抗的原因  
22頻域中的阻抗  
23阻抗的計算或仿真  
24實件與理件  
25串聯RLC電路  
26並聯RLC電路  
27串聯和並聯RLC電路的諧振特性  
28RLC電路和真實電容器的例子  
29從芯片或電路板的角度觀察PDN  
210瞬態響應  
211GJ主題：阻抗矩陣  
212總結  
參考文獻  
D3章低阻抗測量  
31關注低阻抗測量的原因  
32基於V/I阻抗定義的測量  
33基於信號反射的阻抗測量  
34用VNA測量阻抗  
35示例：測量DIP中兩條引線的阻抗  
36示例：測量小導線回路的阻抗  
37低頻下VNA阻抗測量的局限性  
38四點開爾文電阻測量技術  
39雙端口低阻抗測量技術  
310示例：測量直徑為1in的銅環阻抗  
311夾具偽像說明  
312示例：測量通孔的電感  
313示例：印制板上的小型 MLCC電容器  
314GJ主題：測量片上電容  
315總結  
參考文獻  
D4章電感和PDN設計  
41留意PDN設計中電感的原因  
42簡單回顧電容，初步了解電感  
43電感的定義、磁場和電感的基本原則  
44電感的阻抗  
45電感的準靜態近似  
46磁場密度  
47磁場中的電感和能量  
48麥克斯韋方程和回路電感  
49內部及外部電感和趨膚深度  
410回路電感、部分電感、自電感和互電感  
411均勻圓形導體  
412圓形回路中電感的近似  
413緊密結合的寬導體的回路電感  
414均勻傳輸線回路電感的近似  
415回路電感的簡單經驗法則  
416GJ主題：利用3D場求解器計算S參數並選取回路電感  
417總結  
參考文獻  
D5章實用多層陶瓷片狀電容器的集成  
51使用電容器的原因  
52實際電容器的等效電路模型  
53並聯多個相同的電容器  
54兩個不同電容器間的並聯諧振頻率  
55PRF處的峰值阻抗  
56設計一個貼片電容  
57電容器溫度與電壓穩定性  
58多大的電容是足夠的  
59一階和二階模型中實際電容器的ESR  
510從規格表中估算電容器的ESR  
511受控ESR電容器  
512電容器的安裝電感  
513使用供應商提供S參數的電容器型號  
514如何分析供應商提供的S參數模型  
515GJ主題：更高帶寬的電容模型  
516總結  
參考文獻  
D6章平面和電容器的特性  
61平面的關鍵作用  
62平面的低頻特性：平行板電容  
63平面的低頻特性：邊緣場電容  
64平面的低頻特性：功率坑中的邊緣場電容  
65長窄腔回路電感  
66寬腔中的擴散電感  
67從3D場求解器中獲得擴散電感  
68集總電路中串聯和並聯的自諧振頻率  
69探討串聯LC諧振的特性  
610擴散電感和源的接觸位置  
611兩個接觸點之間的擴散電感  
612電容器和腔的相互作用  
613擴散電感的作用：電容位置在何時重要  
614飽和擴散電感  
615空腔模態共振和傳輸線特性  
616傳輸線和模態共振的輸入阻抗  
617模態共振和衰減  
618空腔二維模型  
619GJ主題：使用傳輸阻抗探測擴散電感  
620總結  
參考文獻  
D7章信號返回平面改變時，信號完整性的探討  
71信號完整性和平面  
72涉及峰值阻抗問題的原因  
73通過較低阻抗和較高阻尼來降低腔體噪聲  
74使用短路通孔遏制腔體諧振  
75使用多個隔直電容抑制腔體諧振  
76為抑制腔體諧振，估計隔直電容器的數量  
77為承受回路電流，需要確定隔直電容器的數量  
78使用未達ZJ數量的隔直電容器的腔體阻抗  
79擴散電感和電容器的安裝電感  
710使用阻尼來遏制由一些電容器產生的並聯諧振峰  
711腔體損耗和阻抗峰的降低  
712使用多個容量的電容器來遏制阻抗峰  
713使用受控ESR電容器來減小峰值阻抗高度  
714處理回路平面Z為重要的設計原理的總結  
715GJ主題：使用傳輸線電路對平面建模  
716總結  
參考文獻  
D8章PDN生態學  
件集中在一起：PDN生態學和頻域  
82高頻端：芯片去耦電容  
83封裝PDN  
84Bandini山  
85估計典型的Bandini 山頻率  
86Bandini山的固有阻尼  
87具有多個通孔對接觸的電源地平面  
88從芯片通過封裝看PCB腔體  
89空腔的作用：小印制板、大印制板和“電源旋渦”  
810低頻端：VRM和它的大容量電容器  
811大容量電容器：多大的電容值足夠  
812優化大容量電容器和VRM  
813建立PDN生態學繫統：VRM、大容量電容器、腔體、封裝和片上電容器  
814峰值阻抗的基本限制  
815在具有一般特性的印制板上使用單數值的MLCC電容器  
816優化單個MLCC電容器的數值  
817在印制板上使用3個不同數值的MLCC電容器  
818優化3個電容器的數值  
819選擇電容值和Z小電容器數目的頻域目標阻抗法  
820使用FDTIM選擇電容器的值  
821D片上電容是大的和封裝引線電感小的時候  
822使用受控ESR電容器是一種替換的去耦策略  
823封裝上的去耦電容器  
824GJ主題：同一供電電路上多個芯片的影響  
825總結  
參考文獻  
D9章瞬時電流和PDN電壓噪聲  
91瞬時電流如此重要的原因  
92平坦阻抗曲線、瞬時電流 顯示全部信息