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出版社:機械工業出版社 ISBN:9787111659815 商品編碼:10023158011762 品牌:鳳凰新華(PHOENIX 出版時間:1900-01-01 審圖號:9787111659815 代碼:99 作者:尤蓋希·辛格·楚罕等
"![/](https://img30.360buyimg.com/vc/jfs/t1/154871/8/1050/1017618/5f72d93aE8800eefd/243c2481b5e1319a.jpg) 內容介紹 隨著集成電路工藝特征尺寸進入28nm以下節點,傳統的平面MOSFET結構已不再適用,新型的三維晶體管(FinFET)結構逐漸成為摩爾定律得以延續的重要保證。本書從三維結構的原理、物理效應入手,詳細討論了FinFET緊湊模型(BSIM-CMG)產生的背景、原理、參數以及實現方法;同時討論了在模擬和射頻集成電路設計中所采用的仿真模型。本書避開了繁雜的公式推導,而進行了更為直接的機理分析,力求使得讀者從工藝、器件層面理解BSIM-CMG的特點和使用方法。 本書可以作為微電子學與固體電子學、電子信息工程等專業高年級本科生、研究生的專業教材和教師參考用書,也可以作為工程師進行集成電路仿真的FinFET模型手冊。
目錄 譯者序 原書前言
D1章FinFET——從器件概念到標準的緊湊模型1 1121世紀MOSFET短溝道效應產生的原因1 12薄體MOSFET理論3 13FinFET和一條新的MOSFET縮放路徑3 14超薄體場效應晶體管4 15FinFET緊湊模型——FinFET工藝與集成電路設計的橋梁5 16D一個標準緊湊模型BSIM簡史6 17核心模型和實際器件模型7 18符合工業界標準的FinFET緊湊模型9 參考文獻10
D2章基於模擬和射頻應用的緊湊模型11 21概述11 22重要的緊湊模型指標12 23模擬電路指標12 231靜態工作點12 232幾何尺寸縮放16 233變量模型17 234本征電壓增益19 235速度:單位增益頻率24 236噪聲27 237線性度和對稱性28 238對稱性35 24射頻電路指標36 241二端口參數36 242速度需求38 243非準靜態模型46 244噪聲47 245線性度53 25總結57 參考文獻57
D3章FinFET核心模型59 31雙柵FinFET的核心模型60 32統一的FinFET緊湊模型67 D3章附錄 詳細的表面電動勢模型72 3A1連續啟動函數73 3A2四次修正迭代:實現和評估75 參考文獻80
D4章溝道電流和實際器件效應83 41概述83 42閾值電壓滾降83 43亞閾值斜率退化89 44量子力學中的Vth校正90 45垂直場遷移率退化91 46漏J飽和電壓Vdsat92 461非本征示例(RDSMOD=1和2)92 462本征示例(RDSMOD=0)94 47速度飽和模型97 48量子效應98 481有效寬度模型99 482有效氧化層厚度/有效電容101 483電荷質心累積計算101 49橫向非均勻摻雜模型102 410體FinFET的體效應模型(BULKMOD=1)102 411輸出電阻模型102 4111溝道長度調制103 4112漏致勢壘降低105 412溝道電流106 參考文獻106
D5章洩漏電流108 51弱反型電流109 52柵致源J洩漏及柵致漏J洩漏110 521BSIM-CMG中的柵致漏J洩漏/柵致源J洩漏公式112 53柵J氧化層隧穿113 531BSIM-CMG中的柵J氧化層隧穿公式113 532在耗盡區和反型區中的柵J-體隧穿電流114 533積累中的柵J-體隧穿電流115 534反型中的柵J-溝道隧穿電流117 535柵J-源/漏J隧穿電流118 54踫撞電離119 參考文獻120
D6章電荷、電容和非準靜態效應121 61終 端 電荷121 611柵J電荷121 612漏J電荷123 613源J電荷124 62跨容124 63非準靜態效應模型126 631弛豫時間近似模型126 632溝道誘導柵J電阻模型128 633電荷分段模型128 參考文獻132
D7章寄生電阻和電容133 71FinFET器件結構和符號定義134 72FinFET中與幾何尺寸有關的源/漏J電阻建模137 721接觸電阻137 722擴散電阻139 723擴展電阻142 73寄生電阻模型驗證143 731TCAD仿真設置144 732器件優化145 733源/漏J電阻提取146 734討論150 74寄生電阻模型的應用考慮151 741物理參數152 742電阻分量152 75柵J電阻模型153 76FinFET 寄生電容模型153 761寄生電容分量之間的聯繫153 762二維邊緣電容的推導154 77三維結構中FinFET邊緣電容建模:CGEOMOD=2160 78寄生電容模型驗證161 79總結165 參考文獻166
D8章噪聲168 81概述168 82熱噪聲168 83閃 爍 噪 聲170 84其他噪聲分量173 85總結174 參考文獻174
D9章結二J管I-V和C-V模型175 91結二J管電流模型176 911反偏附加洩漏模型179 92結二J管電荷/電容模型181 921反偏模型182 922正偏模型183 參考文獻186
D10章緊湊模型的基準測試187 101漸近正確性原理187 102基準測試188 1021弱反型區和強反型區的物理行為驗證188 1022對稱性測試191 1023緊湊模型中電容的互易性測試194 1024自熱效應模型測試194 1025熱噪聲模型測試196 參考文獻196
D11章BSIM-CMG模型參數提取197 111參數提取背景197 112BSIM-CMG模型參數提取策略198 113總結206 參考文獻206
D12章溫度特性208 121半導體特性208 1211帶隙問題特性208 1212NC、Vbi和ΦB的溫度特性209 1213本征載流子濃度的溫度特性209 122閾值電壓的溫度特性209 1221漏致勢壘降低的溫度特性210 1222體效應的溫度特性210 1223亞閾值擺幅210 123遷移率的溫度特性210 124速度飽和的溫度特性211 1241非飽和效應的溫度特性211 125洩漏電流的溫度特性212 1251柵J電流212 1252柵致漏/源J洩漏212 1253踫撞電離212 126寄生源/漏J電阻的溫度特性212 127源/漏J二J管的溫度特性213 1271直接電流模型213 1272電容215 1273陷阱輔助隧穿電流215 128自熱效應217 129驗證範圍218 1210測量數據的模型驗證218 參考文獻220
附錄221 附錄A參數列表221 A1模型控制器221 A2器件參數222 A3工藝參數223 A4基本模型參數224 A5幾何相關寄生參數235 A6溫度相關性和自熱參數236 A7變量模型參數238
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