●第1章緒論
1.1理想和典型的功率開關模型
1.2理想和典型的功率器件參數
1.3單極功率器件
1.4雙極功率器件
1.5MOS雙極功率器件
1.6單極功率器件的理想漂移區
1.7電荷耦合結構：理想的特征導通電阻
1.8小結
習題
參考文獻
第2章材料特性和傳輸物理
2.1基本特性
2.1.1本征載流子濃度
2.1.2帶隙變窄
2.1.3內建電勢
2.1.4零偏置耗盡寬度
2.1.5踫撞電離繫數
2.1.6載流子遷移率
2.2電阻率
2.2.1本征電阻率
2.2.2非本征電阻率
2.2.3中子嬗變摻雜
2.3復合壽命
2.3.1Shockley-Read-Hall復合
2.3.2小注入壽命
2.3.3空間電荷產生壽命
2.3.4復合能級優化
2.3.5壽命控制
2.3.6俄歇復合
2.4歐姆接觸
2.5小結
習題
參考文獻
第3章擊穿電壓
3.1雪崩擊穿
3.1.1踫撞電離繫數的冪定律近似
3.1.2倍增繫數
3.2突變一維二極管
3.3理想比通態電阻
3.4突變穿通二極管
3.5線性緩變結二極管
3.6邊緣終端
3.6.1平面結終端
3.6.2帶浮空場環的平面結
3.6.3帶多重浮空場環的平面結
3.6.4帶場板的平面結
3.6.5帶場板與場環的平面結
3.6.6斜角邊緣終端
3.6.7腐蝕終端
3.6.8結終端擴展
3.7基極開路晶體管擊穿
3.7.1復合斜角終端
3.7.2雙正斜角終端
3.8表面鈍化
3.9小結
習題
參考文獻
第4章肖特基整流器
4.1功率肖特基整流器結構
4.2金屬一半導體接觸
4.3正向導通
4.4反向阻斷
4.4.1漏電流
4.4.2肖特基勢壘降低
4.4.3擊穿前雪崩倍增
4.4.4碳化硅整流器
4.5器件電容
4.6散熱考慮
4.7基本折中分析
4.8器件工藝
4.9勢壘高度調整
4.10邊緣終端
4.11小結
習題
參考文獻
第5章P-i-N整流器
5.1一維結構
5.1.1復合電流
5.1.2小注入電流
5.1.3大注入電流
5.1.4末端區的注入
5.1.5載流子間的散射效應
5.1.6俄歇復合效應
5.1.7正向導通特性
5.2碳化硅P-i-N整流器
5.3反向阻斷
5.4開關特性
5.4.1正向恢復
5.4.2反向恢復
5.5帶緩衝層的P-i-N整流器結構
5.6非穿通型P-i-N整流器結構
5.7P-i-N整流器的折中曲線
5.8小結
習題
參考文獻
第6章功率MOS場效應晶體管
6.1理想的特征導通電阻
6.胞結構和工作原理
6.2.1V-MOSFET結構
6.2.2VD-MOSFET結構
6.2.3U-MOSFET結構
6.3器件基本特性
6.4阻斷電壓
6.4.1終端的影響
6.4.2漸變摻雜分布的影響
6.4.3寄生雙極型晶體管的影響
6.胞節距的影響
6.4.5柵形狀的影響
6.胞表面布局的影響
6.5正向導通特性
6.5.1MOS界面物理特性
6.5.2MOS表面電荷分析
6.5.3優選耗盡寬度
6.5.4閾值電壓
6.5.5溝道電阻
6.6功率MOSFET導通電阻
6.6.1源接觸電阻
6.6.2源區電阻
6.6.3溝道電阻
6.6.4積累電阻
6.6.5JFET電阻
6.6.6漂移區電阻
6.6.7N+襯底電阻
6.6.8漏接觸電阻
6.6.9總導通電阻
6.7功率VD-MOS胞優化
6.7.1柵電極寬度的優化
6.7.2擊穿電壓的影響
6.7.3設計規則的影響
6.胞布局的影響
6.8功率U-MOSFET的導通電阻
6.8.1源接觸電阻
6.8.2源區電阻
6.8.3溝道電阻
6.8.4積累區電阻
6.8.5漂移區電阻
6.8.6N+襯底電阻
6.8.7漏極接觸電阻
6.8.8總導通電阻
6.9功率U-MOSFET胞優化
6.9.1垂直P型基區的接觸孔結構
6.9.2擊穿電壓影響
6.9.3可靠性優化
6.10平方關繫的傳輸特性
6.11超線性傳輸特性
6.12輸出特性
6.13器件電容
6.13.1基本MOS電容
6.13.2功率VD-MOSFET結構的電容
6.13.3功率U-MOSFET結構的電容
6.13.4等效電路
6.14柵電荷
6.14.1柵電荷提取
6.14.2電壓與電流關繫
6.14.3VD-MOSFET與U-MOSFET結構比較
6.1胞節距對VD-MOSFET結構與U-MOSFET結構的影響
6.15高頻工作優化
6.15.1輸入開關損耗
6.15.2輸出開關損耗
6.15.3柵信號延遲
6.16開關特性
6.16.1開啟瞬態
6.16.2關斷瞬態
6.16.3開關功率損耗
6.16.4（dV/dt）能力
6.17安全工作區
6.17.1雙極型晶體管二次擊穿
6.17.2MOS二次擊穿
6.18內部體二極管
6.18.1反向恢復優化
6.18.2寄生雙極型晶體管影響
6.19高溫特性
6.19.1閾值電壓
6.19.2導通電阻
6.19.3飽和區跨導
6.20互補器件
6.20.1P溝道結構
6.20.2導通電阻
6.20.3深槽結構
6.21硅功率MOSFET制造工藝
6.21.1平面VD-MOSFET工藝
6.21.2槽形U-MOSFET工藝
6.22碳化硅器件
6.22.1巴利加對（Baliga-Pair）構造
6.22.2平面功率MOSFET結構
6.22.3屏蔽型平面功率MOSFET結構
6.22.4屏蔽型槽柵功率MOSFET結構
6.23小結
習題
參考文獻
第7章雙極結型晶體管
……
第8章晶閘管
第9章絕緣柵雙極晶體管
第10章應用綜述

本書繫統介紹了電力電子領域廣泛應用的各類功率半導體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結構、物理機理、設計原則及應用可靠性，內容以硅功率半導體器件為主，同時也涵蓋了新興的碳化硅功率器件。全書首先從基本半導體理論開始，依次介紹了各類常用的功率半導體器件，采用物理模型分析及數值模擬驗證結合的方式，輔助大量詳實的圖表數據，幫助讀者全面透徹理解功率半導體器件的特性。

(美)巴利加(B.Jayant Baliga) 著;韓鄭生 等 譯 著作