一本介紹碳化硅器件與測試應用技術的專著。首先，注重搭建知識框架，不一味追求*新學術研究成果，而是選擇能夠實際應用的技術，切實解決SiC器件的應用問題。其次，書中使用大量篇幅對測試設備、測試方法進行了詳細的講解，幫助功率器件和電力電子研究者和工程師彌補測試技術這一短板。

●電力電子新技術繫列圖書序言序前言第1章功率半導體器件基礎11.1Si功率器件11.1.1Si功率二極管11.1.2Si功率MOSFET51.1.3Si IGBT91.2SiC功率器件121.2.1SiC半導體材料特性121.2.2SiC功率器件發展現狀15參考文獻25延伸閱讀26第2章SiC MOSFET參數的解讀、測試及應用292.1優選值292.1.1擊穿電壓292.1.2熱阻抗312.1.3優選耗散功率和優選漏極電流322.1.4安全工作域332.2靜態特性352.2.1傳遞特性和閾值電壓352.2.2輸出特性和導通電阻352.2.3體二極管和第三像限導通特性382.3動態特性392.3.1結電容392.3.2開關特性402.3.3柵電荷472.4參數測試482.4.1I-V特性測試482.4.2結電容測試502.4.3柵電荷測試532.4.4測試設備532.5FOM值552.6器件建模與仿真582.7器件損耗計算632.7.1損耗計算方法632.7.2仿真軟件66參考文獻68延伸閱讀70第3章雙脈衝測試技術753.1功率變換器換流模式753.2雙脈衝測試基礎793.2.1雙脈衝測試原理793.2.2雙脈衝測試參數設定823.2.3雙脈衝測試平臺853.3測量挑戰903.3.1示波器903.3.2電壓探頭1043.3.3電流傳感器1153.3.4時間偏移1183.3.5寄生參數1213.4雙脈衝測試設備126參考文獻130延伸閱讀132第4章SiC器件與Si器件特性對比1354.1SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET1354.1.1靜態特性1354.1.2動態特性1374.2SiC MOSFET和Si IGBT1454.2.1傳遞特性1454.2.2輸出特性1454.2.3動態特性1464.2.4短路特性1524.3SiC二極管和Si二極管1544.3.1導通特性1544.3.2反向恢復特性155延伸閱讀162第5章高di/dt的影響與應對——關斷電壓過衝1635.1關斷電壓過衝的影響因素1635.2應對措施1——回路電感控制1655.2.1回路電感與局部電感1655.2.2PCB線路電感1675.2.3器件封裝電感1685.3應對措施2——去耦電容1705.3.1電容器基本原理1705.3.2去耦電容基礎1725.3.3小信號模型分析1765.4應對措施3——降低關斷速度184參考文獻186延伸閱讀187第6章高dv/dt的影響與應對——crosstalk1886.1crosstalk基本原理1886.1.1開通crosstalk1896.1.2關斷crosstalk1916.2關鍵影響因素1946.2.1等效電路分析1946.2.2實驗測試方案與結果1956.3應對措施1——米勒鉗位2006.3.1晶體管型米勒鉗位2006.3.2IC集成有源米勒鉗位2026.4應對措施2——驅動回路電感控制2066.4.1驅動回路電感對米勒鉗位的影響2066.4.2封裝集成206參考文獻212延伸閱讀213第7章高dv/dt的影響與應對——共模電流2147.1信號通路共模電流2147.1.1功率變換器中的共模電流2147.1.2信號通路共模電流特性2177.2應對措施1——高CMTI驅動芯片2197.3應對措施2——高共模阻抗2237.3.1減小隔離電容2237.3.2共模電感2247.4應對措施3——共模電流疏導2257.4.1Y電容2257.4.2並行供電2267.4.3串聯式驅動電路2277.5差模干擾測量2277.5.1常規電壓探頭2277.5.2電源軌探頭229參考文獻235延伸閱讀236第8章共源極電感的影響與應對2388.1共源極電感2388.1.1共源極電感及其影響2388.1.2開爾文源極封裝2418.2對比測試方案2428.2.1傳統對比測試方案2428.2.24-in-4和4-in-3對比測試方案2448.3對開關過程的影響2458.3.1開通過程2458.3.2關斷過程2498.3.3開關能量與dVDS/dt2538.4對crosstalk的影響2578.4.1開通crosstalk2578.4.2關斷crosstalk261參考文獻265延伸閱讀266第9章驅動電路設計2679.1驅動電路基礎2679.1.1驅動電路架構與發展2679.1.2驅動電路各功能模塊2699.2驅動電阻取值2759.3驅動電壓2809.3.1SiC MOSFET對驅動電壓的要求2809.3.2關斷負電壓的提供2819.4驅動級特性的影響2839.4.1 輸出峰值電流2839.4.2BJT和MOSFET電流Boost2849.4.3米勒斜坡下的驅動能力2879.5信號隔離傳輸2929.5.1隔離方式2929.5.2安規與絕緣2959.6短路保護3009.6.1短路保護的檢測方式3019.6.2DESAT短路保護303參考文獻306延伸閱讀309

本書介紹了碳化硅功率器件的基本原理、特性、測試方法及應用技術，概括了近年學術界和工業界的*新研究成果。本書共分為9章：功率半導體器件基礎，SiC MOSFET參數的解讀、測試及應用，雙脈衝測試技術，SiC器件與Si器件特性對比，高di/dt的影響與應對——關斷電壓過衝，高dv/dt的影響與應對——crosstalk，高dv/dt的影響與應對——共模電流，共源極電感的影響與應對，以及驅動電路設計。

高遠 陳橋梁 著