| | | | 電力半導體新器件及其制造技術 王彩琳 電力電子新技術繫列圖書 | | 該商品所屬分類：圖書 -> 機械工業出版社 | | 【市場價】 | 761-1104元 | | 【優惠價】 | 476-690元 | | 【作者】 | 王彩琳 | | 【出版社】 | 機械工業出版社 | | 【ISBN】 | 9787111475729 | | 【折扣說明】 | 一次購物滿999元台幣免運費+贈品
一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品
一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品
一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
| | 【本期贈品】 | ①優質無紡布環保袋，做工棒！②品牌簽字筆 ③品牌手帕紙巾
|
|
| 版本 | 正版全新電子版PDF檔 | | 您已选择： | 正版全新 | 溫馨提示：如果有多種選項，請先選擇再點擊加入購物車。*. 電子圖書價格是0.69折，例如了得網價格是100元，電子書pdf的價格則是69元。
*. 購買電子書不支持貨到付款，購買時選擇atm或者超商、PayPal付款。付款後1-24小時內通過郵件傳輸給您。
*. 如果收到的電子書不滿意，可以聯絡我們退款。謝謝。 | | | |
| | 內容介紹 | |
店鋪：機械工業出版社官方旗艦店 出版社：機械工業出版社 ISBN：9787111475729 商品編碼：10026486058920 品牌：機械工業出版社（CMP） 出版時間：2015-06-01 頁數：200 字數：712000 審圖號：9787111475729 作者：王彩琳
" 
商品參數
| 商品基本信息 | | 商品名稱： | 電力半導體新器件及其制造技術 | | 作者： | 王彩琳 | | 市場價： | 99.00 | | ISBN號： | 9787111475729 | | 版次： | 1-1 | | 出版日期： | 2015-06 | | 頁數： | 554 | | 字數： | 712 | | 出版社： | 機械工業出版社 |
內容介紹
| 內容簡介 | 本書介紹了電力半導體器件的結構、原理、特性、設計、制造工藝、可靠性與失效機理、應用共性技術及數值模擬方法。內容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件[（包括GTO晶閘管、集成門極換流晶閘管（IGCT））]、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，以及電力半導體器件的功率集成技術、結終端技術、制造技術、共性應用技術、數值分析與模擬技術。重點對GTO的單位電流增益、IGCT的透明陽極和波狀基區，功率MOSFET的超結及IGBT的發射極電子注入增強（IE）等新技術進行了詳細介紹。
|
目錄
| 目錄 | 序言
前言
*1章緒論1
1*1電力半導體器件概述1
1*1*1與電力電子技術關繫1
1*1*2定義與分類3
1*2發展概況6
1*2*1電力半導體器件的發展6
1*2*2制造技術的發展10
參考文獻13
*2章功率二極管14
2*1普通功率二極管14
2*1*1結構類型14
2*1*2工作原理與I-U特性15
2*1*3靜態與動態特性17
2*2快速軟恢復二極管24
2*2*1結構類型25
2*2*2軟恢復的機理及控制28
2*3功率肖特基二極管35
2*3*1結構類型與制作工藝36
2*3*2工作原理與I-U特性38
2*3*3靜態特性39
2*4功率二極管的設計43
2*4*1普通功率二極管的設計43
2*4*2快速軟恢復二極管的設計45
2*4*3功率肖特基二極管的設計47
2*5功率二極管的應用與失效分析48
2*5*1安全工作區及其限制因素48
2*5*2失效分析51
2*5*3特點與應用範圍53
參考文獻54
第3章晶閘管及其集成器件57
3*1普通晶閘管結構57
3*1*1結構類型57
3*1*2工作原理與特性60
3*1*3靜態與動態特性65
3*2門極關斷晶閘管（GTO）76
3*2*1結構概述76
3*2*2工作原理與特性79
3*2*3靜態與動態特性82
3*2*4硬驅動技術86
3*3集成門極換流晶閘管（IGCT）88
3*3*1結構特點88
3*3*2工作原理與I-U特性92
3*3*3靜態與動態特性97
3*3*4關鍵技術及其原理100
3*3*5驅動電路與特性參數111
3*4其他集成器件116
3*4*1發射極關斷晶閘管（ETO）116
3*4*2MOS關斷晶閘管（MTO）119
3*5晶閘管的設計122
3*5*1設計方法概述122
3*5*2超高壓晶閘管的設計125
3*5*3大電流GTO的設計128
3*5*4IGCT的設計131
3*6晶閘管的應用可靠性與
失效分析136
3*6*1普通晶閘管的失效分析136
3*6*2GTO的可靠性與
失效分析138
3*6*3IGCT的可靠性與
失效分析142
3*6*4晶閘管的特點與
應用範圍149
參考文獻150
第4章功率MOSFET155
4*1功率MOSFET的結構類型及
特點155
4*1*1基本結構156
4*1*2橫向結構158
4*2功率MOSFET的工作原理與
特性159
4*2*1等效電路159
4*2*2工作原理與特性參數160
4*2*3靜態與動態特性167
4*3超結MOSFET180
4*3*1基本結構及等效電路181
4*3*2派生結構182
4*3*3靜態與動態特性185
4*4功率MOSFET的設計190
4*4*1縱向結構的設計190
4*4*2橫向結構的設計191
4*5功率MOSFET的應用可靠性與
失效分析194
4*5*1應用可靠性194
4*5*2失效分析196
4*5*3特點與應用範圍201
參考文獻201
第5章絕緣柵雙極型晶體管
（IGBT）205
5*1普通IGBT205
5*1*1結構特點與典型工藝205
5*1*2工作原理與I-U特性211
5*1*3靜態與動態特性218
5*2注入增強型IGBT234
5*2*1結構特點與典型工藝234
5*2*2工作原理與注入增強
效應238
5*2*3靜態與動態特性242
5*3集成化IGBT245
5*3*1逆阻IGBT245
5*3*2雙向IGBT247
5*3*3逆導IGBT249
5*3*4雙模式IGBT253
5*3*5超結IGBT254
5*4IGBT的設計257
5*4*1縱向結構的設計257
5*4*2橫向結構的設計260
5*4*3防閂鎖的設計264
5*5IGBT的應用可靠性與
失效分析266
5*5*1可靠性266
5*5*2失效分析273
5*5*3應用與發展趨勢280
參考文獻282
第6章功率集成技術287
6*1功率集成技術簡介287
6*1*1功率集成概念287
6*1*2功率集成形式287
6*1*3功率集成意義288
6*2功率集成電路289
6*2*1概述289
6*2*2電場調制技術290
6*2*3橫向高壓器件292
6*2*4隔離技術308
6*2*5設計技術314
6*2*6發展與應用範圍318
6*3功率模塊320
6*3*1概述320
6*3*2基本構成321
6*3*3封裝技術325
6*3*4特能與可靠性333
6*3*5失效分析與安全性339
6*3*6發展趨勢341
參考文獻342
第7章電力半導體器件的結終端
技術347
7*1常見的結終端技術347
7*1*1平面結終端技術347
7*1*2臺面結終端技術352
7*1*3結終端特性的表征357
7*1*4結終端的制作工藝358
7*2常用結終端結構359
7*2*1功率二極管的結終端
結構360
7*2*2MOS型淺結器件的結終端
結構361
7*2*3晶閘管的結終端結構363
7*2*4HVIC的結終端結構365
7*3結終端結構的設計366
7*3*1概述366
7*3*2淺結器件復合結終端的
設計369
7*3*3深結器件復合結終端的
設計372
參考文獻376
第8章電力半導體器件的制造
技術380
8*1概述380
8*1*1發展概況380
8*1*2主要制造技術內容381
8*2襯底材料制備技術382
8*2*1硅襯底382
8*2*2SOI襯底384
8*3基本制造工藝385
8*3*1熱氧化385
8*3*2熱擴散388
8*3*3離子注入398
8*3*4光刻與刻蝕403
8*3*5化學氣相澱積410
8*3*6物理氣相澱積413
8*3*7背面減薄工藝414
8*3*8PIC典型工藝415
8*4壽命控制技術417
8*4*1少子壽命417
8*4*2吸雜技術419
8*4*3輻照技術421
8*4*4應用舉例426
8*5硅-硅直接鍵合技術429
8*5*1技術特點429
8*5*2鍵合的機理與方法430
8*5*3應用舉例432
8*6封裝技術438
8*6*1中小功率器件的封裝438
8*6*2大功率器件的封裝441
參考文獻443
第9章電力半導體器件的應用
共性技術449
9*1電力半導體器件的驅動電路449
9*1*1概述449
9*1*2電流驅動450
9*1*3電壓驅動453
9*2電力半導體器件的串並聯
技術455
9*2*1概述455
9*2*2功率二極管的串並聯456
9*2*3普通晶閘管的串並聯458
9*2*4GTO的串並聯460
9*2*5IGCT的串並聯462
9*2*6IGBT模塊的串並聯465
9*3電力半導體器件的過應力
保護469
9*3*1概述469
9*3*器件473
9*3*3吸收電路476
9*3*4保護電路477
9*3*5軟開關技術485
9*4電力半導體器件的熱傳輸與
熱分析486
9*4*1功耗486
9*4*2熱傳輸與熱阻488
9*4*3熱分析493
9*5電力半導體器件的合理使用496
9*5*1可靠性496
9*5*2有效保護497
9*5*3降額使用498
參考文獻498
*10章電力半導體器件的數值
分析與仿真技術500
10*1數值分析方法500
10*1*1概述500
10*1*2電特性仿真502
10*1*3熱特性仿真504
10*2MEDICI軟件使用實例506
10*2*1使用方法506
10*2*2仿真實例508
10*3ISE軟件使用
|
" | | |
| | | | |
|
