| | | 電力半導體新器件及其制造技術 王彩琳 電力電子新技術繫列圖書 | 該商品所屬分類:圖書 -> 機械工業出版社 | 【市場價】 | 761-1104元 | 【優惠價】 | 476-690元 | 【作者】 | 王彩琳 | 【出版社】 | 機械工業出版社 | 【ISBN】 | 9787111475729 | 【折扣說明】 | 一次購物滿999元台幣免運費+贈品 一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品 一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品 一次購物滿4000元台幣88折+免運費+贈品
| 【本期贈品】 | ①優質無紡布環保袋,做工棒!②品牌簽字筆 ③品牌手帕紙巾
| |
版本 | 正版全新電子版PDF檔 | 您已选择: | 正版全新 | 溫馨提示:如果有多種選項,請先選擇再點擊加入購物車。*. 電子圖書價格是0.69折,例如了得網價格是100元,電子書pdf的價格則是69元。 *. 購買電子書不支持貨到付款,購買時選擇atm或者超商、PayPal付款。付款後1-24小時內通過郵件傳輸給您。 *. 如果收到的電子書不滿意,可以聯絡我們退款。謝謝。 | | | | 內容介紹 | |
![](/c49/99/10026486058920.jpg)
店鋪:機械工業出版社官方旗艦店 出版社:機械工業出版社 ISBN:9787111475729 商品編碼:10026486058920 品牌:機械工業出版社(CMP) 出版時間:2015-06-01 頁數:200 字數:712000 審圖號:9787111475729 作者:王彩琳
"![baecf198635367d9.jpg](https://img10.360buyimg.com/cms/jfs/t1/180445/28/6295/377762/60b0bd82E6c4ef32e/baecf198635367d9.jpg) 商品參數 商品基本信息 | 商品名稱: | 電力半導體新器件及其制造技術 | 作者: | 王彩琳 | 市場價: | 99.00 | ISBN號: | 9787111475729 | 版次: | 1-1 | 出版日期: | 2015-06 | 頁數: | 554 | 字數: | 712 | 出版社: | 機械工業出版社 | 內容介紹 內容簡介 | 本書介紹了電力半導體器件的結構、原理、特性、設計、制造工藝、可靠性與失效機理、應用共性技術及數值模擬方法。內容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件[(包括GTO晶閘管、集成門極換流晶閘管(IGCT))]、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),以及電力半導體器件的功率集成技術、結終端技術、制造技術、共性應用技術、數值分析與模擬技術。重點對GTO的單位電流增益、IGCT的透明陽極和波狀基區,功率MOSFET的超結及IGBT的發射極電子注入增強(IE)等新技術進行了詳細介紹。 | 目錄 目錄 | 序言 前言 *1章緒論1 1*1電力半導體器件概述1 1*1*1與電力電子技術關繫1 1*1*2定義與分類3 1*2發展概況6 1*2*1電力半導體器件的發展6 1*2*2制造技術的發展10 參考文獻13 *2章功率二極管14 2*1普通功率二極管14 2*1*1結構類型14 2*1*2工作原理與I-U特性15 2*1*3靜態與動態特性17 2*2快速軟恢復二極管24 2*2*1結構類型25 2*2*2軟恢復的機理及控制28 2*3功率肖特基二極管35 2*3*1結構類型與制作工藝36 2*3*2工作原理與I-U特性38 2*3*3靜態特性39 2*4功率二極管的設計43 2*4*1普通功率二極管的設計43 2*4*2快速軟恢復二極管的設計45 2*4*3功率肖特基二極管的設計47 2*5功率二極管的應用與失效分析48 2*5*1安全工作區及其限制因素48 2*5*2失效分析51 2*5*3特點與應用範圍53 參考文獻54 第3章晶閘管及其集成器件57 3*1普通晶閘管結構57 3*1*1結構類型57 3*1*2工作原理與特性60 3*1*3靜態與動態特性65 3*2門極關斷晶閘管(GTO)76 3*2*1結構概述76 3*2*2工作原理與特性79 3*2*3靜態與動態特性82 3*2*4硬驅動技術86 3*3集成門極換流晶閘管(IGCT)88 3*3*1結構特點88 3*3*2工作原理與I-U特性92 3*3*3靜態與動態特性97 3*3*4關鍵技術及其原理100 3*3*5驅動電路與特性參數111 3*4其他集成器件116 3*4*1發射極關斷晶閘管(ETO)116 3*4*2MOS關斷晶閘管(MTO)119 3*5晶閘管的設計122 3*5*1設計方法概述122 3*5*2超高壓晶閘管的設計125 3*5*3大電流GTO的設計128 3*5*4IGCT的設計131 3*6晶閘管的應用可靠性與 失效分析136 3*6*1普通晶閘管的失效分析136 3*6*2GTO的可靠性與 失效分析138 3*6*3IGCT的可靠性與 失效分析142 3*6*4晶閘管的特點與 應用範圍149 參考文獻150 第4章功率MOSFET155 4*1功率MOSFET的結構類型及 特點155 4*1*1基本結構156 4*1*2橫向結構158 4*2功率MOSFET的工作原理與 特性159 4*2*1等效電路159 4*2*2工作原理與特性參數160 4*2*3靜態與動態特性167 4*3超結MOSFET180 4*3*1基本結構及等效電路181 4*3*2派生結構182 4*3*3靜態與動態特性185 4*4功率MOSFET的設計190 4*4*1縱向結構的設計190 4*4*2橫向結構的設計191 4*5功率MOSFET的應用可靠性與 失效分析194 4*5*1應用可靠性194 4*5*2失效分析196 4*5*3特點與應用範圍201 參考文獻201 第5章絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)205 5*1普通IGBT205 5*1*1結構特點與典型工藝205 5*1*2工作原理與I-U特性211 5*1*3靜態與動態特性218 5*2注入增強型IGBT234 5*2*1結構特點與典型工藝234 5*2*2工作原理與注入增強 效應238 5*2*3靜態與動態特性242 5*3集成化IGBT245 5*3*1逆阻IGBT245 5*3*2雙向IGBT247 5*3*3逆導IGBT249 5*3*4雙模式IGBT253 5*3*5超結IGBT254 5*4IGBT的設計257 5*4*1縱向結構的設計257 5*4*2橫向結構的設計260 5*4*3防閂鎖的設計264 5*5IGBT的應用可靠性與 失效分析266 5*5*1可靠性266 5*5*2失效分析273 5*5*3應用與發展趨勢280 參考文獻282 第6章功率集成技術287 6*1功率集成技術簡介287 6*1*1功率集成概念287 6*1*2功率集成形式287 6*1*3功率集成意義288 6*2功率集成電路289 6*2*1概述289 6*2*2電場調制技術290 6*2*3橫向高壓器件292 6*2*4隔離技術308 6*2*5設計技術314 6*2*6發展與應用範圍318 6*3功率模塊320 6*3*1概述320 6*3*2基本構成321 6*3*3封裝技術325 6*3*4特能與可靠性333 6*3*5失效分析與安全性339 6*3*6發展趨勢341 參考文獻342 第7章電力半導體器件的結終端 技術347 7*1常見的結終端技術347 7*1*1平面結終端技術347 7*1*2臺面結終端技術352 7*1*3結終端特性的表征357 7*1*4結終端的制作工藝358 7*2常用結終端結構359 7*2*1功率二極管的結終端 結構360 7*2*2MOS型淺結器件的結終端 結構361 7*2*3晶閘管的結終端結構363 7*2*4HVIC的結終端結構365 7*3結終端結構的設計366 7*3*1概述366 7*3*2淺結器件復合結終端的 設計369 7*3*3深結器件復合結終端的 設計372 參考文獻376 第8章電力半導體器件的制造 技術380 8*1概述380 8*1*1發展概況380 8*1*2主要制造技術內容381 8*2襯底材料制備技術382 8*2*1硅襯底382 8*2*2SOI襯底384 8*3基本制造工藝385 8*3*1熱氧化385 8*3*2熱擴散388 8*3*3離子注入398 8*3*4光刻與刻蝕403 8*3*5化學氣相澱積410 8*3*6物理氣相澱積413 8*3*7背面減薄工藝414 8*3*8PIC典型工藝415 8*4壽命控制技術417 8*4*1少子壽命417 8*4*2吸雜技術419 8*4*3輻照技術421 8*4*4應用舉例426 8*5硅-硅直接鍵合技術429 8*5*1技術特點429 8*5*2鍵合的機理與方法430 8*5*3應用舉例432 8*6封裝技術438 8*6*1中小功率器件的封裝438 8*6*2大功率器件的封裝441 參考文獻443 第9章電力半導體器件的應用 共性技術449 9*1電力半導體器件的驅動電路449 9*1*1概述449 9*1*2電流驅動450 9*1*3電壓驅動453 9*2電力半導體器件的串並聯 技術455 9*2*1概述455 9*2*2功率二極管的串並聯456 9*2*3普通晶閘管的串並聯458 9*2*4GTO的串並聯460 9*2*5IGCT的串並聯462 9*2*6IGBT模塊的串並聯465 9*3電力半導體器件的過應力 保護469 9*3*1概述469 9*3*器件473 9*3*3吸收電路476 9*3*4保護電路477 9*3*5軟開關技術485 9*4電力半導體器件的熱傳輸與 熱分析486 9*4*1功耗486 9*4*2熱傳輸與熱阻488 9*4*3熱分析493 9*5電力半導體器件的合理使用496 9*5*1可靠性496 9*5*2有效保護497 9*5*3降額使用498 參考文獻498 *10章電力半導體器件的數值 分析與仿真技術500 10*1數值分析方法500 10*1*1概述500 10*1*2電特性仿真502 10*1*3熱特性仿真504 10*2MEDICI軟件使用實例506 10*2*1使用方法506 10*2*2仿真實例508 10*3ISE軟件使用
|
" | | | | | |