●第1章光電發射體的半導體物理基礎
●1.1載流子復合動力學
●1.1.1非平衡載流子的注入與復合
●1.1.2載流子復合過程的動力學
●1.1.3載流子復合一生成中心的來源
●1.2半導體表面附近的能帶彎曲
●1.2.1p型半導體表面附近的能帶彎曲
●1.2.2n型半導體表面附近的能帶彎曲
●1.2.3Ⅲ-V族半導體表面附近的能帶彎曲
●1.2.4獲得負電子親和勢的必要條件
●1.3光電發射的基本概念
●1.3.1光電發射中心與光電發射的三個基本過程
●1.3.2金屬與半導體光電發射的比較
●1.3.3光電陰極的光吸收
●1.3.4光電子的逸出深度與能量散射機構
●1.4光電陰極的量子產額
●1.4.1光電子的發射概率
●1.4.2到達表面後的電子，具有剩餘動能E的幾率函數
●1.4.3負電子親和勢光電陰極的量子產額
●1.4.4正電子親和勢光電陰極的量子產額
●部分目錄

本書較全面和繫統地介紹了光電成像的基本理論、原理和應用。主要內容包括光電成像器件的物理基礎，真空攝像器件，固體攝像器件，微光夜視器件及儀器，光電微光成像，紅外圖像成像，微光電視，激光成像繫統：遙感光電成像繫統，醫學成像繫統，成像器件和繫統的基本設計方法及應用等。