●章 半導體材料概述
1.1 半導體材料的發展與應用
1.2 半導體材料的概念與性質
1.2.1 半導體材料的概念
1.2.2 半導體材料的性質
第2章 典型半導體材料
2.1 硅、锗單質半導體材料
2.1.1 硅
2.1.2 锗
2.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料
2.2.1 光學性質
2.2.2 雜質自補償特性
2.2.3 應用概述
2.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料
2.3.1 基本性質
2.3.2 晶體結構、化學鍵和極性
2.3.3 部分重要 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的應用
2.4 非晶半導體材料
2.4.1 非晶半導體物理特性
2.4.2 非晶態半導體制備
2.4.3 非晶態半導體特性分析
2.4.4 非晶態半導體的應用
2.5 有機半導體材料
2.5.1 有機半導體材料的基本性質
2.5.2 有機半導體材料的分類
2.5.3 有機半導體材料的應用
第3章 半導體材料的制備與工藝
3.1 半導體單晶的制備方法
3.1.1 單晶提純
3.1.2 單晶生長
3.1.3 晶片的制備
3.2 半導體薄膜生長方法
3.2.1 外延生長介紹
3.2.2 真空蒸發鍍膜法
3.2.3 濺射法鍍膜
3.2.4 離子成膜技術
3.2.5 化學氣相沉積法
第4章 納米半導體材料
4.1 納米半導體材料的物理效應和特性
4.1.1 半導體材料的物理效應
4.1.2 納米半導體材料的基本特性
4.2 一維硅、锗納米半導體
4.2.1 硅納米線
4.2.2 硅納米管
4.2.3 锗納米線
4.3 一維氧化鋅納米材料
4.3.1 一維氧化鋅納米材料的制備方法
4.3.2 一維氧化鋅納米材料的應用
4.4 碳納米管
4.4.1 碳納米管的結構
4.4.2 碳納米管的性質
4.4.3 碳納米管的制備
4.4.4 碳納米管的純化方法
4.4.5 碳納米管的應用
4.4.6 表征技術
4.5 其他半導體量子材料
4.5.1 半導體量子點材料
4.5.2 半導體量子線材料
第5章 半導體材料測試與表征
5.1 半導體材料微區電阻測試技術
5.1.1 微區薄層電阻測試方法
5.1.2 微區電阻測試方法的基本原理
5.1.3 四探針測試方法
5.2 霍爾效應測試方法
5.2.1 霍爾效應的基本原理
5.2.2 霍爾測試樣品
5.2.3 霍爾測試條件
5.3 俄歇電子能譜
5.3.1 俄歇能譜測試繫統
5.3.2 俄歇電子能譜表面分析技術
5.3.3 俄歇電子譜在半導體領域中的典型應用
5.4 紅外光譜分析技術
5.4.1 傅裡葉變換紅外光譜優點
5.4.2 傅裡葉變換紅外光譜測試繫統
5.4.3 紅外光譜測試樣品制備
5.4.4 測試條件
5.5 掃描探針顯微鏡
5.5.1 掃描隧道顯微鏡
5.5.2 原子力顯微鏡
5.5.3 掃描近場光學顯微鏡
附錄A Si半導體特性參數
A.1 基本參數 (300K)
A.2 能帶結構與載流子濃度
A.3 電學性質
A.4 光學性質
熱力學性能
附錄B Ge半導體特性參數
B.1 基本參數 (300K)
B.2 能帶結構與載流子濃度
B.3 電學性質
B.4 光學性質
B.5 熱力學性能
附錄C C半導體特性參數
C.1 基本參數 (300K)
C.2 能帶結構與載流子濃度
C.3 電學性質
C.4 熱力學性能
附錄D GaAs半導體特性參數
D.1 基本參數
D.2 能帶結構與載流子濃度
D.3 電學性質
D.4 熱力學性能
附錄E GaN半導體特性參數
E.1 纖鋅礦型GaN基本參數
E.2 力學性能相關參數
E.3 纖鋅礦型 GaN波傳播特性
E.4 閃鋅礦型 GaN力學性能相關參數
E.5 閃鋅礦型 GaN波傳播特性
E.6 GaN的熱性能參數
E.7 纖鋅礦型 GaN電學和光學特性
E.8 閃鋅礦型 GaN電學和光學特性
附錄F AlN半導體特性參數
F.1 與纖鋅礦機械性能相關的參數
F.2 與閃鋅礦機械性能相關的參數
F.3 閃鋅礦型 AlN波傳播特性
F.4 纖鋅礦型 AlN的熱性能相關參數
F.5 纖鋅礦型 AlN的光電性能相關參數
F.6 閃鋅礦型 AlN的光電性能相關參數
參考文獻

本書是為材料、物理及電子信息等本科專業編寫的教材，介紹了半導體材料的結構特性、制備工藝、測試表征、發展歷程及研究前沿。全書共分5章，章為半導體材料概述；第2章為典型半導體材料；第3章為半導體材料的制備與工藝；第4章為納米半導體材料；第5章為半導體材料測試與表征；附錄為典型半導體材料的性能參數。本書盡量避免過多的理論闡述，結合作者多年科研積累，力求采用通俗易懂的語言講清楚半導體材料的基本內容與思想方法，並著重突出了近年來納米半導體材料發展及相應的新的理論成果、技術方法與器件應用。本書可作為從事半導體材料及相關研究的科研人員和相關專業研究生的參考書。