●縮略語
PartF 晶體生長及缺陷模型
36 熔體生長晶體體材料的傳導和控制
36.1 運輸過程的物理定律
36.2 熔體的流動結構
36.3 外力對流動的控制
36.4 前景
參考文獻
37 Ⅲ族氮化物的氣相生長
37.1 Ⅲ族氮化物的氣相生長概述
37.2 AIN/GaN氣相澱積的數學模型
37.3 氣相澱積AIN/GaN的表征
37.4 GaN的IVPE生長模型——個案研究
37.5 氣相GaN/AIN膜生長的表面形成
37.6 結語
參考文獻
38 生長直拉硅晶體中連續尺寸量子缺陷動力學
38.1 微缺陷的發現
38.2 無雜質時的缺陷動力學
38.3 有氧時的直拉缺陷動力學
38.4 有氮時的直拉缺陷動力學
38.5 直拉硅單晶中空位的橫向合並
38.6 結論
參考文獻
39 熔體基底化合物晶體生長中應力和位錯產生的模型
39.1 綜述
39.2 晶體生長過程
39.3 半導體材料的位錯分布
39.4 位錯產生的模型
39.5 晶體的金剛石結構
39.6 半導體的變形特性
39.7 Haasen模型對晶體生長的應用
39.8 替代模式
39.9 模型概述和數值實現
39.1 0數值結果
39.1 1總結
參考文獻
40 BS和EFG繫統中的質量和熱量傳輸
40.1 雜質分布的基預測模型——垂直BS繫統
40.2 雜質分布的基預測模型-EFG繫統
參考文獻
PartG 缺陷表征及技術
41晶體層結構的X射線衍射表征
41.1 X射線衍射
41.2 層結構的基本直接X射線衍射分析
41.3 設備和理論思考
41.4 從低到高的復雜性分析實例
41.5 快速分析
41.6 薄膜微映射
41.7 展望
參考文獻
42 晶體缺陷表征的X射線形貌技術
42.1 X射線形貌的基本原則
42.2 X射線形貌技術的發展歷史
42.3 X射線形貌技術和幾何學
42.4 X射線形貌技術理論背景
42.5 X射線形貌上缺陷的對比原理
42.6 X射線形貌上的缺陷分析
42.7 目前的應用狀況和發展
參考文獻
……
43 半導體的缺陷選擇性刻蝕
44 晶體的透射電子顯微鏡表征
45 點缺陷的電子自旋共振表征
46 半導體缺陷特性的正電子湮沒光譜表征