《硅技術的發展和未來》由冶金工業出版社出版。

●1 導論：各種形式的硅
●1.1 引言
●1.2 從20世紀60年代到70年代初：能帶
●1.3 20世紀70年代：應用於硅的表面理論
●1.4 20世紀80年代：硅的結構能
●1.5 20世紀90年代：硅團簇與量子點的結構和電子性質
●1.6 未來展望
●參考文獻
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●第一部分 半導體體硅晶體
●2 硅：半導體材料
●2.1 引言
●2.2 早期歷史
●2.3 硅研究中的競爭與合作
●2.4 最初的器件應用
●2.5 MOS技術和集成
●2.6 結論
●參考文獻
●3 硅：一個工業奇跡
●3.1 引言
●部分目錄

《硅技術的發展和未來》涵蓋了半導體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導體、品格缺陷、雜質影響等多方面的內容，並涉及量子計算機、碳納米管在微電子中的應用、情境智能繫統、大腦半導體等諸多新概念；繫統總結了世界半導體硅材料的發展歷史、研究現狀，並指出了今後的發展方向。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位從事半導體材料學習、科研和開發人員的參考用書。

P.希弗特 著作

    .3.3 器件結構的加工和退火
    厚度小於平衡臨界厚度tcm啪的應變層具有固有的穩定性，但亞穩層通過明顯高於其生長溫度的熱處理也能使其變成穩定態。主要原因是SiGe結構的頂上有硅帽層，生長這一層有兩個用途：制備功能器件（如HBT的發射極）和便於完成某些加工，如氧化、覆蓋保護層。計及這一帽層，平衡臨界厚度增加一倍，但其動力學甚至更強，因為人們容易理解，從表面成核位置開始，位錯半環不會通過非應變的帽層。直到850℃，已成功生長出應變SiGe層。
    對於小的熱負載（thermal budget）加工，瞬時增強擴散（TED）日益重要，這一點並非隻對異質結構如此。但在異質結構中，為抑制硼的擴散，一直十分強調碳摻雜的作用。間隙原等