作 者:靳曉詩,劉溪 著
定 價:68
出 版 社:清華大學出版社
出版日期:2017年07月01日
頁 數:241
裝 幀:平裝
ISBN:9787302477792
●第1章 緒論 1
●1.1 CMOS超大規模集成電路技術發展與現狀分析 1
●1.2 內容概述 12
●第2章 納米級MOSFETs的寄生電容模型 15
●2.1 過往亞微米級寄生電容模型回顧 15
●2.1.1 概述 15
●2.1.2 幾種常見的寄生電容模型介紹 18
●2.2 考慮源漏接觸電極影響的深亞微米寄生電容模型 27
●2.2.1 概述 27
●2.2.2 柵極側壁電容 (Cside) 28
●2.2.3 柵極頂部電容與總寄生電容 36
●2.3 基於精準邊界條件的全解析寄生電容模型 41
●2.3.1 概況 41
●2.3.2 柵極側壁電容 42
●2.3.3 柵極頂部電容與總寄生電容 47
●第3章 納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管模型 51
●3.1 平面單柵極體硅金屬氧化物半導體場效應晶體管模型 51
●3.1.1 能帶理論 51
●3.1.2 一個平面金屬氧化物半導體電容器的標準模型 57
●3.1.3 一個平面單柵極金屬氧化物半導體場效應晶體管器件的標準模型 62
●部分目錄
本書是對作者在納米級場效應晶體管領域科研學術成果的繫統性論述，具體內容包括納米級場效應晶體管寄生電容模型、傳統納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管機理模型、新興無結型場效應晶體管機理模型以及無結型場效應晶體管的結構優化。在建模的過程中，充分考慮了器件的具體結構和摻雜濃度等參數對器件工作特性的影響，繫統地建立了具有雙柵、圍柵等多柵結構的納米級場效應晶體管的機理模型體繫，並給出了深納米級尺度下新興無結場效應晶體管的優化方案。
本書可供材料、電子、精密儀器等專業科研和工程技術人員參考使用。
靳曉詩,劉溪 著
靳曉詩，工學博士，瀋陽工業大學副教授，遼寧省很好碩士論文指導教師，主要研究領域包括新型半導體器件物理學、很好納米集成技術、生物與氣體傳感技術、薄膜晶體管與LED、LCD顯示技術和固態存儲技術等。發表SCI檢索期刊論文20餘篇，申報發明專利30餘項，已獲批10餘項。
劉溪，工學博士，瀋陽工業大學碩士生導師，主要從事很好集成技術研發、人工智能芯片設計等工作。發表SCI檢索期刊論文10餘篇，申報發明專利10餘項，已獲批3項。
前 言
集成芯片技術的發展，強有力地推動著金屬氧化物半導體場效應晶體管技術的進步。發展更小的金屬氧化物半導體場效應晶體管意味著在一個較小的區域實現具有相同的功能的芯片，或在芯片的同一區域內具有更多的功能。由於晶片制造成本相對固定，每個集成芯片的成本主要取決於在每個晶圓上所生成的芯片的數量，因此，更小的集成電路允許在每個晶圓上制造更多的芯片，以此降低芯片的制造成本。然而當尺寸縮小至納米級時，集成電路器件會對電路特性帶來顯著影響。同時，尺寸縮小也器件——金屬氧化物半導體場效應晶體管的自身性能造成嚴重影響。為有效克服納米級短溝道效應，多柵技術應運而生。同時，由尺寸減小所帶來的另一個問題是短溝道器件需要極陡的源極和漏極結的形成，這就使得在幾個納米的距離內要實現多個數量級的等
