●叢書序
序
前言
第1章 緒論
第2章 氮化物寬禁帶半導體及其異質結構的物理性質
2.1 氮化物半導體的基本物理性質
2.2 氮化物半導體異質結構的基本物理性質
2.3 氮化物半導體異質結構中2DEG的高場輸運性質
2.4 氮化物半導體異質結構中2DEG的量子輸運性質
2.5 氮化物半導體異質結構中2DEG的自旋性質
參考文獻
第3章 氮化物半導體及其異質結構的外延生長
3.1 氮化物半導體的外延生長方法概述
3.2 氮化物半導體的同質外延生長
3.3 氮化物半導體的異質外延生長
參考文獻
第4章 氮化物半導體射頻電子器件
4.1 GaN基射頻電子器件概述
4.2 SiC襯底上GaN基微波功率器件
4.3 Si襯底上GaN基射頻電子器件
4.4 GaN基超高頻電子器件
4.5 GaN基射頻電子器件的應用
參考文獻
第5章 氮化物半導體功率電子器件
5.1 GaN基功率電子器件概述
5.2 增強型GaN基功率電子器件及異質結構能帶調制工程
5.3 GaN基功率電子器件表面／界面局域態特性與調控
5.4 GaN基垂直結構功率電子器件
5.5 GaN基功率電子器件的可靠性
5.6 GaN基功率電子器件的應用
參考文獻
第6章 SiC半導體單晶襯底及外延材料
6.1 SiC半導體的基本物理性質
6.2 SiC半導體單晶襯底材料的生長
6.3 SiC半導體材料的外延生長
參考文獻
第7章 SiC半導體功率電子器件
7.1 SiC基功率電子器件概述
7.2 SiC基整流二極管
7.3 SiC基功率開關器件
7.4 SiC基功率電子器件的應用
參考文獻
第8章 半導體金剛石材料與功率電子器件
8.1 半導體金剛石的基本物理性質
8.2 金剛石單晶材料的制備方法
8.3 單晶金剛石襯底的制備
8.4 高質量半導體金剛石薄膜的外延生長
8.5 半導體金剛石的摻雜和電導調控
8.6 金剛石基半導體功率電子器件
參考文獻
第9章 氧化鎵半導體功率電子材料與器件
9.1 氧化鎵半導體的基本物理性質
9.2 氧化鎵半導體單晶材料的生長
9.3 氧化鎵基半導體功率電子器件
參考文獻

寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優異性質，不僅在制備短波長光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的很優選半導體體繫，在信息、能源、交通、優選制造國防等領域具有重大應用價值。本書繫統介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O3四種最重要的寬禁帶半導體電子材料和器件，從晶體結構、帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件等方面論述了其基礎物理性質、面臨的關鍵科學技術問題、國內外前沿研究成果和應用前景。本書可供從事半導體材料領域研究和生產的科技工作者、企業工程師、研究生和高年級大學生閱讀參考。