●第1章 輻射環境
1.1 引言
1.2 輻射環境的種類
1.2.1 空間環境
1.2.2 核環境
1.2.3 高能物理實驗環境
1.2.4 器件制造引入的輻射環境
1.3 小結
第2章 輻射效應相關的半導體基礎知識
2.1 引言
2.2 本征半導體及非本征半導體
2.2.1 半導體能帶結構
2.2.2 本征半導體
2.2.3 非本征半導體
2.2.4 淺能級、深能級、雜質的補償作用
2.3 半導體中載流子的產生及復合
2.3.1 載流子的產生
2.3.2 載流子的復合
2.4 載流子的遷移率
2.4.1 遷移率的特性
2.4.2 載流子的擴散繫數
2.5 PN結二級管
2.6 肖特基結二極管
2.7 MOS電容及MOSFET
2.7.1 表面勢
2.7.2 耗盡層
2.7.3 表面反型層
2.7.4 MOS電容
2.7.5 MOSFET
2.8 直接有輻射環境的半導體工藝
2.8.1 NMOSFET工藝流程
2.8.2 離子注入摻雜
2.8.3 干法刻蝕
2.9 小結
第3章 輻射效應的一般概念
3.1 引言
3.2 輻射劑量學
3.2.1 帶電粒子在物質中的能量損失
3.2.2 能量損失率
3.2.3 核反應
3.2.4 吸收劑量
3.2.5 電離輻射劑量的測量方法
3.3 電離輻射效應
3.3.1 光電效應
3.3.2 康普頓散射效應
3.3.3 吸收劑量同線性能量轉移(LET)函數的關繫
3.4 位移損傷
3.5 輻射損傷對器件特性的影響
3.5.1 電離輻射
3.5.2 位移損傷
3.6 常用的輻射缺陷分析方法概述
3.6.1 紅外光譜
3.6.2 電子順磁共振方法
……
第4章 半導體材料的輻射效應
第5章 Si半導體器件的輻射效應
第6章 CaAs半導體器件的輻射效應
第7章 光電子器件的輻射效應
第8章 Si集成電路的輻射效應及加固技術
第9章 納米級CMOS集成電路的輻射效應及加固技術
第10章 半導體器件輻射效應的一些新研究動向
第11章 輻射效應模擬試驗及測試技術

本書共11章，結合作者30多年的研究經驗，從輻射環境及其相關半導體物理基礎知識開始，詳細介紹了各種半導體材料及器件的輻射效應機理和加固方案，並整理和分享了優選工藝輻射效應的研究動向。 本書內容全面、繫統、精煉、易於理解，可作為高等院校相關課程的教材，也可供從事微電子、光電子研究和生產的科技人員參考。

劉忠立,高見頭 著