●前言
第1章 緒論
1.1 發展機遇
1.2 TSV集成技術發展歷史
1.3 TSV三維集成的挑戰
參考文獻
第2章 TSV工藝仿真
2.1 概述
2.2 TSV深孔刻蝕工藝模擬仿真
2.2.1 等離子刻蝕的物理模型
2.2.2 刻蝕工藝模擬的算法
2.2.3 刻蝕模擬軟件
2.3 TSV深孔氧化硅介質層澱積工藝模擬仿真
2.3.1 澱積的物理模型
2.3.2 澱積過程的模擬仿真
2.4 TSV深孔電鍍工藝模擬仿真
2.4.1 TSV深孔電鍍工藝原理和模型
2.4.2 Tafel曲線作為陰極邊界條件的實驗模型
參考文獻
第3章 TSV工藝
3.1 概述
3.2 TSV刻孔
3.2.1 引言
3.2.2 Bosch工藝
3.2.3 其他刻孔技術
3.2.4 小結
3.3 TSV孔絕緣工藝
3.3.1 引言
3.3.2 PECVD沉積SiOx實現TSV孔絕緣
3.3.3 小結
3.4 TSV孔金屬化
3.4.1 電鍍銅工藝簡介
3.4.2 濺射工藝制作TSV孔電鍍種子層
3.4.3 電鍍銅填充TSV孔
3.4.4 電鍍銅填充TSV孔工藝測試評估方法
3.4.5 電鍍銅填充TSV孔工藝失效模式
3.4.6 小結
3.5 硅晶圓減薄與銅平坦化
3.5.1 引言
3.5.2 TSV三維集成應用中的硅片減薄與銅平坦化
3.5.3 硅晶圓減薄
3.5.4 減薄硅晶圓的固定與去除
3.5.5 銅平坦化
3.5.6 小結
3.6 微凸點與鍵合工藝
3.6.1 引言
3.6.2 微凸點鍵合工藝原理
3.6.3 小結
參考文獻
第4章 TSV三維互連電學設計
4.1 概述
4.1.1 三維集成給互連技術帶來的機遇
4.1.2 三維集成電互連設計面臨的挑戰
4.1.3 三維集成典型互連結構
4.2 三維互連的電學建模
4.2.1 TSV的等效電路參數計算
4.2.2 不同頻率下的TSV等效電路模型
4.2.3 TSV MOS耦合電容效應
4.2.4 MOS電容參數掃描分析
4.2.5 MOS電容測試驗證
4.3 三維互連的電學仿真
4.3.1 TSV的三維電磁場仿真
4.3.2 GSG-TSV仿真分析
4.3.3 GS-TSV仿真分析
4.4 電源完整性
4.4.1 基本原理與分析方法
4.4.2 三維集成繫統中電源分配網絡的基本組成與分析
參考文獻
第5章 三維集成微繫統的熱管理方法
5.1 三維集成微繫統中的傳熱學
5.1.1 傳熱學的基本概念
5.1.2 三維集成微繫統熱管理的發展趨勢
5.2 被動式熱管理方法
5.2.1 被動式熱管理方法概況
5.2.2 擴散熱阻
5.2.3 熱TSV與熱線
5.2.4 基於等效導熱繫數的繫統仿真方法
5.3 主動式熱管理方法
5.3.1 集成微繫統的主動式熱管理技術進展
5.3.2 帶擾流柱的微流體冷卻方法
參考文獻
第6章 三維集成電學測試技術
6.1 三維集成電路測試概述
6.2 TSV測試
6.2.1 TSV電學測量
6.2.2 TSV物理缺陷測試
6.3 測試訪問架構設計與測試調度
6.3.1 IEEE P1838標準
6.3.2 IEEE P1838標準測試訪問架構的擴展設計
6.3.3 三維集成電路的測試調度問題：單塔情形
6.3.4 三維集成電路的測試調度問題：多塔情形
參考文獻
第7章 TSV轉接板技術
7.1 引言
7.2 面向數字IC三維集成的TSV轉接板工藝設計
7.3 TSV轉接板工藝研究
7.4 TSV轉接板失效分析
7.5 結束語
參考文獻
第8章 TSV三維集成應用
8.1 引言
8.2 TSV三維立體集成SRAM存儲器
8.2.1 TSV三維集成SRAM存儲器架構設計
8.2.2 三維互連電設計分析
8.2.3 8MB三維立體SRAM存儲器集成工藝與封裝方法
8.2.4 TSV三維集成SRAM存儲器測試分析
8.3 基於高阻硅TSV轉接板準三維集成四通道接收組件
8.3.1 集成架構與電學設計
8.3.2 基於高阻硅TSV轉接板準三維集成工藝
8.3.3 測試分析
8.4 結束語
參考文獻
第9章 發展趨勢
9.1 小尺寸TSV三維集成
9.2 異質三維混合信號集成
9.3 三維集 技術
9.3.1 三維集 材料
9.3.2 三維集 工藝
9.3.3 三維集 結構新工藝
9.4 三維集 架構、新器件
參考文獻
彩圖
