●第2版譯者序
第1版譯者序
第2版前言
第1版前言
第2版致謝
第1版致謝
作者簡介
第1章 模擬電路設計緒論
1.1 模擬電路的重要性
1.1.1 信號的檢測與處理
1.1.2 數字信號傳輸中的模擬設計
1.1.3 需求旺盛的模擬設計
1.1.4 模擬設計的挑戰
1.2 研究模擬集成電路的重要性
1.3 研究CMOS模擬集成電路的重要性
1.4 本書的特點
1.5 電路設計的抽像級別
第2章 MOS器件物理基礎
2.1 基本概念
2.1.1 MOSFET開關
2.1.2 MOSFET的結構
2.1.3 MOS符號
2.2 MOS的I-V特性
2.2.1 閾值電壓
2.2.2 I-V特性的推導
2.2.3 MOSFET的跨導
2.3 二級效應
2.4 MOS器件模型
2.4.1 MOS器件版圖
2.4.2 MOS器件電容
2.4.3 MOS小信號模型
2.4.4 MOS SPICE模型
2.4.5 NMOS與PMOS器件的比較
2.4.6 長溝道器件與短溝道器件的比較
2.5 附錄A:鰭式場效應晶體管(FinFET)
2.6 附錄B:用作電容器的MOS器件的特性
參考文獻
習題
第3章 單級放大器
3.1 應用
3.2 概述
3.3 共源級
3.3.1 采用電阻作負載的共源級
3.3.2 采用二極管連接型器件作負載的共源級
3.3.3 采用電流源作負載的共源級
3.3.4 有源負載的共源級
3.3.5 工作在線性區的MOS為負載的共源級
3.3.6 帶源極負反饋的共源級
3.4 源跟隨器
3.5 共柵級
3.6 共源共柵級
3.6.1 折疊式共源共柵
3.7 器件模型的選擇
習題
第4章 差動放大器
4.1 單端與差動的工作方式
4.2 基本差動對
4.2.1 定性分析
4.2.2 定量分析
4.2.3 帶源極負反饋的差動對
4.3 共模響應
4.4 MOS為負載的差動對
4.5 吉爾
參考文獻
習題
第5章 電流鏡與偏置技術
5.1 基本電流鏡
5.2 共源共柵電流鏡
……
第6章 放大器的頻率特性
第7章 噪聲
第8章 反饋
第9章 運算放大器
第10章 穩定性與頻率補償
第11章 納米設計分析
第12章 帶隙基準
第13章 開關電容電路導論
第14章 非線性與不匹配
第15章 振蕩器
第16章 鎖相環
第17章 短溝道效應與器件模型
第18章 CMOS工藝技術
第19章 版圖與封裝
索引
本書是模擬CMOS集成電路設計方面的經典教材,介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計,著重講解該技術的近期新進展和設計實例,從MOSFET器件的基本物理特性開始,逐章分析CMOS電路、差分放大器、頻率響應、噪聲、反饋放大器與穩定性、運算放大器、電壓基準源與電流基源、離散時間繫統、差分電路及反饋繫統中的非線性、振蕩器和鎖相環等基礎模擬電路的分析與設計。本書還介紹了集成電路的基本制造工藝、版圖和封裝設計的基本原則。本書自出版以來得到了國內外讀者的好評和青睞,被許多國際知名大學選為教科書。同時,由於原著者在世界知名很好公司的豐富研究經歷,使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。