《抗輻射集成電路概論》論述抗輻射集成電路方面的知識。《抗輻射集成電路概論》共分10章,主要內容包括輻射環境、輻射效應、抗輻射雙極集成電路設計、抗輻射mos集成電路設計、微處理器加固技術、存儲器加固技術、fpga加固技術、模型參數、集成電路抗輻射性能評估。
《抗輻射集成電路概論》可作為高等學校電子科學與技術類專業選修教材,或從事相關研究的科技人員的參考書。
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