第1章半導體存儲器概述
1.1半導體存儲器的市場狀況
1.1.1市場需求
1.1.2全球存儲芯片供給情況
1.1.3中國存儲器市場情況
1.2半導體存儲器器件簡介
1.2.1半導體存儲器分類
1.2.2存儲器的
1.2.3NAND Flash產品簡介
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習題
參考文獻
第2章Flash存儲器技術簡介
2.1Flash的歷史
2.22D NAND Flash技術發展
2.2.12D NAND Flash架構及操作
2.2.22D NAND Flash技術發展及尺寸縮小
2.2.32D NAND Flash面臨的技術挑戰
2.33D NAND Flash技術發展
2.3.13D NAND Flash的技術優勢及器件原理
2.3.23D NAND CTF的結構發展
2.3.33D浮柵型NAND Flash的結構發展
2.4NAND Flash未來發展趨勢
2.4.13D NAND Flash未來發展方向
2.4.2非馮·諾依曼架構簡介
2.5NOR Flash技術
2.5.1NOR Flash基本操作
2.5.2NOR Flash存儲陣列結構
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習題
參考文獻
第3章3D NAND Flash存儲器工藝集成技術
3.1半導體基本單步工藝
3.1.1光刻工藝
3.1.2刻蝕工藝
3.1.3外延生長工藝
3.1.4離子注入/快速熱處理
3.1.5爐管工藝
3.1.6其他薄膜工藝
3.1.7濕法工藝
3.1.8化學機械平坦化
3.23D存儲器工藝集成
3.2.1外圍電路模塊
3.2.2NO疊層模塊
3.2.3臺階模塊
3.2.4溝道孔模塊
3.2.5柵隔離槽模塊
3.2.6接觸孔模塊
3.2.7後段模塊
本章小結
習題
參考文獻
第4章3D NAND Flash存儲器特性
4.1NAND Flash操作物理機制
4.1.1NAND Flash基本結構
4.1.2NAND Flash操作機制
4.1.3NAND Flash讀取操作
4.1.4NAND Flash編程操作
4.1.5NAND Flash擦除操作
4.23D NAND多晶硅溝道技術
4.2.1多晶硅溝道模型與晶界陷阱
4.2.2多晶硅溝道漏電控制
4.3溫度對3D NAND Fla器件特性的影響
4.3.13D NAND Fla器件閾值電壓溫度特性分析
4.3.23D NAND Fla器件閾值電壓溫度特性優化
4.43D NAND Flash器件挑戰與發展
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習題
參考文獻
第5章3D NAND Flash存儲器模型模擬技術
5.1仿真工具簡介
5.1.1Sentaurus TCAD
5.1.2Sentaurus WorkBench
5.1.3Sentaurus Process
5.1.4Sentaurus Structure Editor
5.1.5Sentaurus Device
5.2納米尺度器件模擬
5.2.1納米尺度MOS器件輸運特性簡介
5.2.2半導體仿真模擬概述
5.2.3半導體器件模型介紹
5.32D NAND Flash器件模擬
5.3.12D NAND Flash器件模型
5.3.22D NAND Flash器件操作及可靠性模擬
5.43D NAND Flash器件模擬
5.4.13D NAND Flash器件模擬介紹
5.4.23D NAND Flash器件溝道模擬
5.4.33D NAND Flash器件操作及可靠性模擬
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習題
參考文獻
第6章3D NAND Flash存儲器陣列操作技術
6.1NAND Flash陣列簡介
6.1.1NAND Flash陣列結構
6.1.2NAND Flash陣列操作
6.2多值存儲的NAND Flash新型陣列技術
6.2.1ISPP編程技術
6.2.2編程自抑制技術
6.2.3雙堆棧編程技術
6.2.4讀取窗口裕度
6.2.5兩步驗證技術
6.2.6多值存儲編程技術
6.2.7新型擦除技術
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習題
參考文獻
第7章3D NAND Flash存儲器可靠性技術
7.1CMOS 器件可靠性簡介
7.1.1熱載流子注入效應
7.1.2負偏壓溫度不穩定性
7.1.3柵氧化層擊穿模型
7.2NAND Flash可靠性
7.2.1耐久特性
7.2.2保持特性
7.2.3NAND Flash可靠性解決方案
7.2.4NAND Flash可靠性物理機制
7.2.5及陣列讀取干擾
7.2.6陣列編程干擾
7.2.7編程噪聲
7.2.8陣列瞬態讀取錯誤
7.3NAND Flash陣列非理想效應
7.3.1柵致漏端漏電效應
7.3.2隨機電報噪聲
7.3.3背景模式干擾
7.3.4源端噪聲
7.3間電容耦合
7.3.6字線耦合噪聲
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習題
參考文獻
第8章3D NAND Flash存儲器測試表征技術
8.1器件電學表征測試方法
8.1級測試方法
8.1.2陣列級測試方法
8.2NAND Flash器件電學表征基本參數
8.2閾值電壓
8.2編程/擦除速度
8.2.3陣列干擾特性
8.2.4耐久特性
8.2.5保持特性
8.2.6初始閾值電壓漂移
8.2.7隨機電報噪聲
8.2.8電荷泵技術
8.3結構及物理表征簡介
8.3.1掃描電子顯微鏡
8.3.2透射電子顯微鏡
8.3.3電子背散射衍射
8.3.4原子力顯微鏡
8.3.5掃描擴散電阻顯微鏡
8.3.6電子束檢測技術
8.3.7納米探針技術
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習題
參考文獻
第9章NAND Flash存儲器芯片設計技術
9.1NAND Flash基本架構設計
9.1.1綜述
9.1.2NAND Flash芯片結構
9.1.3閾值分布及
9.1.4NAND Flash基本操作
9.1.5NAND Flash基本指令集
9.2NAND Flash高性能設計
9.2.1基於性能提高的讀取技術
9.2.2基於性能提高的編程技術
9.2.3高速接口技術
9.3NAND Flash高可靠性設計
9.3.1NAND Flash失效因素
9.3.2基於可靠性改善的讀取技術
9.3.3基於可靠性改善的編程技術
本章小結
習題
參考文獻
第10章NAND Flash存儲器繫統應用技術
10.1NAND Flash存儲卡
10.1.1eMMC
10.1.2UFS
10.1.3eMCP/uMCP
10.2SSD存儲繫統
10.2.1通用SSD繫統
10.2.2DRAMLess SSD繫統
10.2.3Open Channel SSD 繫統
10.2.4Smart SSD繫統
10.3Flash控制器技術
10.3.1SSD硬件繫統架構
10.3.2SSD繫統前端控制器
10.3.3SSD繫統後端控制器
10.4固件技術
10.4.1地址映射
10.4.2垃圾回收
10.4.3磨損均衡
10.4.4壞塊管理
10.4.5掉電恢復
10.4.6FTL可靠性算法
10.5高速接口技術
10.5.1PCIe概述
10.5.2PCIe通信方式
10.5.3PCIe封裝分層協議
10.5.4第六代PCIe協議
10.6糾錯碼技術
10.6.1ECC基本原理
10.6.2BCH糾錯碼
10.6.3LDPC糾錯碼
本章小結
習題
參考文獻
第11章DRAM存儲器技術
11.1DRAM基本原理
11.1.1DRAM電路工作原理
11.1.2DRAM數據讀取
11.1.3DRAM的電荷共享及信號放大
11.2DRAM技術發展及趨勢
11.2.1DRAM選擇管發展
11.2.2DRAM電容發展
11.2.3DRAM接口技術發展
11.3DRAM器件可靠性
11.3.1可靠性及壽命定義
11.3.2DRAM可靠性問題
11.3.3DRAM失效機制
11.4DRAM工藝集成
11.4.1STI形成及注入
11.4.2選擇晶體管的形成
11.4.3位線接觸模塊
11.4.4位線和外圍晶體管的形成
11.4.5存儲節點接觸
11.4.6存儲節點刻蝕
11.4.7後段工藝
11.5DRAM感測電路設計
11.5.1基本的感測和放大電路
11.5.2分離數據線的感測電路
11.5.3感測電流分布式陣列
11.5.4直接感測
本章小結
習題
參考文獻
第12章新型存儲器技術
12.1新型存儲器簡介
12.2新型動態存儲器
12.2.1新型動態存儲器簡介
12.2.2新型動態存儲器進展
12.2.3新型動態存儲器的挑戰與前景
12.3相變存儲器
12.3.1相變存儲器簡介
12.3.2相變存儲器3D技術的進展
12.3.3相變存儲器的挑戰和前景
12.4阻變存儲器
12.4.1阻變存儲器簡介
12.4.2阻變存儲器技術進展
12.4.3阻變存儲器的挑戰和前景
12.5鐵電存儲器
12.5.1鐵電存儲器簡介
12.5.2鐵電存儲器技術進展
12.5.3鐵電存儲器的挑戰和前景
12.6磁存儲器
12.6.1磁存儲器簡介
12.6.2磁存儲器技術進展
12.6.3磁存儲器的挑戰和前景
本章小結
習題
參考文獻
