第1章  概論
    1.1 微電子技術和集成電路的發展歷程        
        1.1.1 微電子技術與半導體集成電路   
        1.1.2 發展歷程   
        1.1.3 發展特點和技術經濟規律  
    1.2 集成電路的分類       
        1.2.1 按電路功能分類  
        1.2.2 按電路結構分類    
        1.2.3 按有源器件結構和工藝分類     
        1.2.4 按電路的規模分類    
    1.3  集成電路制造特點和本書學習要點
        1.3.1 電路繫統設計  
        1.3.2 版圖設計和優化   
        1.3.3 集成電路的加工制造      
        1.3.4 集成電路的封裝      
        1.3.5 集成電路的測試和分析     
第2章  集成器件物理基礎  
    2.1  半導體及其能帶模型
        2.1.1 半導體及其共價鍵結構  
        2.1.2 半導體的能帶模型          
        2.1.3 費米分布函數   
    2.2  半導體導電性與半導體方程
        2.2.1 本征半導體   
        2.2.2 非本征載流子    
        2.2.3 半導體中的電流   
        2.2.4 非平衡載流子與載流子壽命      
        2.2.5 半導體基本方程    
    2.3  pn結和pn結二極管  
        2.3.1 平衡狀態下的pn結  
        2.3.2 pn結的單向導電性    
        2.3.3 pn結直流伏安特性      
        2.3.4 pn結二極管的交流小信號特性       
        2.3.5 pn結擊穿   
        2.3.6 二極管等效電路模型和二極管應用         
        2.3.7 pn結應用          
        2.3.8 其他半導體二極管        
    2.4 雙極型晶體管        
        2.4.1 雙極晶體管的直流放大原理        
        2.4.2 影響晶體管直流特性的其他因素   
        2.4.3 晶體管的擊穿電壓      
        2.4.4 晶體管的頻率特性     
        2.4.5 晶體管的功率特性   
        2.4.6 晶體管模型和模型參數        
    2.5 JFET與MESFET器件基礎       
        2.5.1 器件結構與電流控制原理     
        2.5.2 JFET直流輸出特性的定性分析     
       2.5.3 JFET的直流轉移特性         
        2.5.4 JFET直流特性定量表達式     
        2.5.5 JFET的器件類型和電路符號     
        2.5.6 JFET等效電路和模型參數   
    2.6 MOS場效應晶體管        
        2.6.1 MOS晶體管結構         
        2.6.2 MOS晶體管工作原理   
        2.6.3 MOS晶體管直流伏安特性定量結果      
        2.6.4 MOS晶體管的閾值電壓    
        2.6.5 4種類型MOS晶體管的對比分析          
        2.6.6 MOS晶體管模型和模型參數     
        2.6.7 影響MOSFET器件特性的非理想因素          
        2.6.8 CMOS晶體管     
        2.6.9 現代IC中的先進MOS結構   
    2.7  異質結半導體器件 
        2.7.1 異質結   
        2.7.2 異質結雙極晶體管(HBT)  
        2.7.3 高電子遷移率晶體管(HEMT)      
    練習  
第3章  集成電路制造工藝 
    3.1  硅平面工藝基本流程
        3.1.1 平面工藝的基本概念   
        3.1.2 pn結隔離雙極IC工藝基本流程    

        3.1.3 平面工藝中的基本工藝          
    3.2  氧化工藝 
        3.2.1 SiO2薄膜在集成電路中的作用      
        3.2.2 SiO2生長方法  
        3.2.3 氮化硅薄膜的制備    
        3.2.4 SiO2膜質量要求和檢驗方法    
        3.2.5 氧化技術面臨的挑戰    
    3.3 摻雜方法之一——擴散工藝     
        3.3.1 擴散原理      
        3.3.2 常用擴散方法簡介    
        3.3.3 擴散層質量檢測  
        3.3.4 擴散工藝與集成電路設計的關繫  
    3.4 摻雜方法之二——離子注入技術        
        3.4.1 離子注入技術的特點    
        3.4.2 離子注入設備    
        3.4.3 離子注入退火    
        3.4.4 離子注入雜質分布   
    3.5 光刻和刻蝕工藝        
        3.5.1 光刻工藝的特征尺寸——工藝水平的標志     
        3.5.2 光刻和刻蝕工藝基本過程    
        3.5.3 超微細圖形的光刻技術    
    3.6  制版工藝
        3.6.1 集成電路生產對光刻版的質量要求    
        3.6.2 制版工藝過程    
        3.6.3 光刻掩膜版的檢查      
    3.7  外延工藝  
        3.7.1 外延生長原理      
        3.7.2 外延層質量要求    
        3.7.3 分子束外延生長技術    
    3.8  金屬化工藝  
        3.8.1 金屬材料的選用    
        3.8.2 金屬化互連繫統結構     
        3.8.3 金屬層澱積工藝     
        3.8.4 平面化     
        3.8.5 合金化     
    3.9  引線封裝  
        3.9.1 後工序加工流程      
        3.9.2 超聲鍵合    
        3.9.2 封裝   
    3.10 隔離技術     
        3.10.1  MOSIC的隔離    
        3.10.2 雙極IC中的基本隔離技術  
    3.11 絕緣物上硅        
        3.11.1 SOI技術          
        3.11.2 注氧隔離技術(Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX)   
        3.11.3 硅片粘合技術(Wafer BondingTechnique)        
    3.12  CMOS集成電路工藝流程
        3.12.1 CMOS工藝    
        3.12.2 典型N阱CMOS工藝流程    
第4章  集成電路設計    
    4.1 集成電路版圖設計規則        
        4.1.1 λ設計規則   
        4.1.2 微米設計規則   
    4.2  集成電路中件 
        4.2.1 集成電阻  
        4.2.2 集成電容   
        4.2.3 片上電感   
        4.2.4 互連線   
    4.3  雙極集成器件和電路設計 
        4.3.1 雙極晶體管結構    
        4.3.2 雙極晶體管的寄生參數    
        4.3.3 NPN晶體管縱向結構設計    
        4.3.4 NPN晶體管橫向結構設計     
        4.3.5 雙極集成電路版圖設計         
        4.3.6 版圖設計實例   
    4.4  CMOS集成器件和電路設計
……
第5章  微電子繫統設計
第6章  電子設計自動化
參考文獻

    微電子(Microelectronics)技術和集成電路（IntegratedCircuit,IC）是20世紀的產物，
是人類智慧的結晶和文明進步的體現。信息社會的發展，使得作為信息社會糧食的集成電路得到迅速發展。國民經濟信息化、對傳統產業的改造、國家信息安全、國民消費電子和軍事電子等領域的強烈需求，使微電子技術繼續呈現高的增長勢頭。未來若干年，微電子技術仍然是發展最活躍和技術增長最快的高新科技領域之一，也是國家重點支持發展的重大項目之一。在這種情況下，越來越多的線路和繫統設計人員參與到微電子繫統的研制中，或者需要將其已開發的線路和繫統實現集成化。微電子技術已成為非微電子專業的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生應該掌握的專業基礎知識，越來越多的大學為非微電子專業的同學開設了關於微電子基礎教育的課程，需要有相關的合適教材。本書編者曾在1995年出版了“八五”統編教材“微電子技術概論”。為了適應微電子技術的發展，於2003年又編寫
出版了“普通高等教育‘十五’國家級規劃教材”《微電子概論》，至今已有8年。為了緊跟微電子技術的發展步伐，反映微電子的最新發展趨勢，現對該教材進行全面的補充、修訂，作為《微電子概論》（第2版）出版。本書列入“普通高等教育‘十一五’國家級規劃教材”。
   考慮到未來相當一段時期硅微電子技術仍然是微電子技術的主體，本教材以硅集成電路為中心，分6章，重點介紹半導體集成器件物理基礎、集成電路制造基本工藝及其發展、集成電路設計和微電子繫統設計、集成電路計算機輔助設計(CAD)。本教材的參考學時為46學時。
    本教材在編寫中注意體現下述特點：
   全書總的編寫指導思想是從物理概念入手，結合工程實例，介紹半導體集成器件物理、集成工藝原理、以及集成電路和繫統的設計特點和方法，對學生進行微電子技術方面的全方位教育，為以後參與微電子繫統研制工作奠定必要的基礎。