內容簡介
空間輻射誘導缺陷是導器件性能退化的重要原因,然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。全書共分為4章,繫統闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數值模擬方法、表征技術及應用。
本書可供從事航天技術研究的專業人員和相關應用領域的科技人員參考,也可作為高等院校航空宇航科學與技術、空間科學、材料物理和集成電路學科的研究生教材。
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