《太陽電池光電器件研究-氧化鋅同質p-n結制備與表征》介紹了通過調控氧化鋅的導電特性,分布可控制備出電子導電和空穴導電的n型和p型半導體薄膜材料;繫統展示了硅基襯底上氧化鋅同質pn結的結構、光學和電學特性的研究成果。采用在ZnO器件結構中插入ZnMgO(簡稱ZMO)多量子勢壘層這種技術明顯地提高了穿過結界面的載流子濃度和電子傳輸速率,初步解決了ZnO基發光器件的高增益問題,為ZnO p-n結器件的應用提供了一個可行的技術方案。本書內容包括氧化鋅的基本性質,p型氧化鋅薄膜的制備氧化鋅的量子阱與超晶格結構,脈衝激光沉積及其表征,氧化鋅 p-n結器件的PLD制備方法及相關測試技術,氧化鋅/ZMO薄膜,ZnMgO多量子勢壘及其對氧化鋅p-n結器件性能的提升。