第1章半導體物理與工藝概要
1.1晶體結構和能帶結構
1.1.1理想晶體的結構
1.1.2理想晶體的能帶結構
1.1.3晶格振動和雜質原子對半導體性質的影響
1.2半導體中的載流子
1.2.1平衡載流子的統計
1.2.2半導體中的非平衡載流子
1.3載流子的運動
1.3.1漂移運動
1.3.2擴散運動
1.4半導體中的基本控制方程組
1.4.1電流密度方程
1.4.2連續性方程
1.5PN結的電學特性
1.5.1PN繕直流伏安特性
1.5.2勢壘電容和擴散電容
1.5.3擊穿特性
1.6基本器件工藝
1.6.1襯底制備和外延生長
1.6.2氧化和光刻
1.6.3擴散與離子注入
習題
參考文獻
第2章晶體管的直流特性
2.1晶體管的基本結構及其雜質分布
2.1.1基本結構
2.1.2晶體管工藝與雜質分布
2.1.3均勻基區晶體管和緩變基區晶體管
2.2晶體管的放大機理
2.2.1晶體管的電流傳輸作用
2.2.2晶體管端電流的組成
2.2.3描述晶體管電流傳輸作用和放大性能的參數
2.2.4晶體管的放大能力
2.3晶體管的直流伏安特性
2.3.1均勻基區晶體管的伏安特性
2.3.2緩變基區晶體管有源放大區的伏安特性
2.4直流電流增益
2.4.1理想晶體管的直流增益
2.4.2影響直流增益的一些因素
2.5反向電流和擊穿電壓
2.5.1反向電流
2.5.2擊穿電壓
2.5.3穿通電壓
2.6基極電阻
2.6.1梳狀晶體管
2.6.2圓形晶體管
2.7特性曲線
2.7.1輸入特性曲線
2.7.2輸出特性曲線
2.7.3晶體管的直流小信號h參數
2.8晶體管模型
2.8.1埃伯斯一莫爾模型
2.8.2晶體管各工作區的模型
習題
參考文獻
第3章晶體管的頻率特性
3.1基本概念
3.1.1晶體管的交流小信號電流增益
3.1.2描述晶體管頻率特性的參數
3.2電流增益的頻率變化關繫——截止頻率和特征頻率
3.2.1交流小信號電流的傳輸過程
3.2.2共基極電流增益和α截止頻率
3.2.3共射極電流增益、β截止頻率和特征頻率
3.3高頻功率增益和振蕩頻率
3.3.1晶體管的功率增益
3.3.2晶體管的高頻功率增益
3.4雙極型晶體管的噪聲特性
3.4.1晶體管的噪聲和噪聲繫數
3.4.2晶體管的噪聲來源
3.4.3晶體管的噪聲頻譜特性
習題
參考文獻
第4章雙極型晶體管的功率特性
4.1基區大注入效應對電流放大繫數的影響
4.1.1大注入下基區少數載流子分布
4.1.2基區電導調制效應
4.1.3基區大注入對電流放大繫數的影響
4.1.4大注入對基區渡越時間的影響
4.2基區擴散效應
4.2.1注入電流對集電結空間電荷區電場分布的影響
4.2.2基區擴展效應
4.3發射極電流集邊效應
4.3.1發射極電流的分布
4.3.2發射極有效條寬
4.3.3發射極有效長度
4.4發射極單位周長電流容量
4.4.1集電極*允許工作電流ICM
4.4.2線電流密度
4.5晶體管*耗散功率PCM
4.5.1耗散功率和結溫
4.5.2熱阻
4.5.3晶體管的*耗散功率
4.6二次擊穿和安全工作區
4.6.1二次擊穿現像
4.6.2二次擊穿機理及改進措施
4.6.3安全工作區
習題
參考文獻
第5章開關特性
5.1晶體管的開關作用
5.1.1晶體管開關作用的定性分析
5.1.2截止區和飽和區的電荷分布
5.2晶體管的開關過程和開關時間
5.2.1幾個開關時間的定義
5.2.2電荷控制理論
5.2.3延遲過程和延遲時間
5.2.4上升過程與上升時間
5.2.5電荷儲存效應與儲存時間
5.2.6下降過程與下降時間
5.2.7提高開關速度的措施
5.3開關管正向壓降和飽和壓降
5.3.1正向壓降
5.3.2飽和壓降
習題
參考文獻
第6章結型場效應晶體管
6.1結型場效應晶體管（JFET）的基本工作原理
6.1.1JFET的基本結構
6.1.2JFET的基本工作原理
6.1.3JFET的輸出特性和轉移特性
6.1.4肖特基柵場效應晶體管（MESFET）
6.1.5器件的類型和代表符號
6.2JFET的直流參數和低頻小信號交流參數
6.2.1JFET的直流電流—電壓特性
6.2.2JFET的直流參數
6.2.3JFET交流小信號參數
6.2.4溝道雜質任意分布時器件的伏安特性
6.2.5高場遷移率的影響
6.3結型場效應晶體管的頻率特性
6.3.1交流小信號等效電路
6.3.2JFET的頻率參數
6.4結型場效應晶體管結構舉例
6.4.1MESFET
6.4.2JFET
6.4.3V形槽JFET
習題
參考文獻
……
第7章MOS場效應晶體管
第8章石墨烯場效應晶體管
第9章新型半導體器件的仿真模型