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  • 半導體材料與器件表征技術
    該商品所屬分類:工業技術 -> 電子通信
    【市場價】
    496-718
    【優惠價】
    310-449
    【作者】 (美)施羅德 
    【所屬類別】 圖書  工業技術  電子通信  半導體技術 
    【出版社】大連理工大學出版社 
    【ISBN】9787561141380
    【折扣說明】一次購物滿999元台幣免運費+贈品
    一次購物滿2000元台幣95折+免運費+贈品
    一次購物滿3000元台幣92折+免運費+贈品
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    內容介紹



    開本:16開
    紙張:膠版紙
    包裝:平裝

    是否套裝:否
    國際標準書號ISBN:9787561141380
    作者:(美)施羅德

    出版社:大連理工大學出版社
    出版時間:2008年06月 

        
        
    "

    編輯推薦
    全書共分電學表征、光學表征和物理表征三個部分,主要對半導體材料和器件表征技術作了介紹,具體內容包括電阻率、載流子和摻雜濃度、載流子壽命、光學表征、物理化學特性的表征等。本書在國外被廣泛選用為研究生專業課教材及工程技術人員的參考書,並在文獻中被大量引用。 
    內容簡介
    本書詳細介紹了現代半導體工業中半導體材料和器件的表征技術,基本上覆蓋了所有的電學與光學測試方法,以及非常專業的與半導體材料相關的物理和化學測試方法。作者不但論述了測量中的相關物理問題及半導體材料與器件的參數的物理起源和物理意義,還將自己和他人的經驗凝結其中,並給出了具體測量手段,同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。
    本版經修訂及擴展,增加了許多逐漸成熟起來的表征技術,如從探測硅晶圓中金屬雜質的掃描探針到用於無接觸式電阻測量的微波反射技術。本版特色如下:
    增加了可靠性和探針顯微技術方面的全新內容;增加了大量例題和章後習題;修訂了500幅圖例;更新了超過1200條參考文獻;采用了更合適的單位制,而不是嚴格的MKS單位制。
    本書可作為碩士、博士研究生的教材,也可供高校教師、半導體工業研究人員參考使用。
    作者簡介
    DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學電子工程繫教授,亞利桑那州立大學工程學院教學傑出貢獻獎獲得者,曾著《現代MOS器件》一書。
    目錄
    第1章 電阻率
    1.1 簡介
    1.2 兩探針與四探針
    練習1.1
    1.2.1 修正因子
    練習1.2
    練習1.3
    練習1.4
    1.2.2 任意形狀樣品的電阻率
    1.2.3 測量電路
    1.2.4 測量偏差和注意事項
    1.3 晶片映像
    1.3.1 二次注入
    1.3.2 調制光反射第1章 電阻率
    1.1 簡介
    1.2 兩探針與四探針
    練習1.1
    1.2.1 修正因子
    練習1.2
    練習1.3
    練習1.4
    1.2.2 任意形狀樣品的電阻率
    1.2.3 測量電路
    1.2.4 測量偏差和注意事項
    1.3 晶片映像
    1.3.1 二次注入
    1.3.2 調制光反射
    1.3.3 載流子發射(CI)
    1.3.4 光密度測定法
    1.4 電阻率分布
    1.4.1 微分霍耳效應(DHE)
    練習1.5
    1.4.2 擴展電阻剖面分布(SRP)
    1.5 非接觸方法
    1.5.1 渦流
    1.6 電導率類型
    1.7 優點和缺點
    附錄1.1 以摻雜濃度為函數的電阻率
    附錄1.2 本征載流子濃度
    習題
    參考文獻
    第2章 載流子和摻雜濃度
    2.1 簡介
    2.2 電容-電壓測量
    2.2.1 微分電容
    2.2.2 帶差
    2.2.3 -小MOS-C電容
    練習2.1
    2.2.4 積分電容
    2.2.5 汞探針接觸
    2.2.6 電化學Cy剖面分析
    2.3 電流-電壓測量
    2.3.1 MOSFET襯底電壓-柵電壓
    2.3.2 MOSFET閾值電壓
    ……
    第3章 接觸電阻、肖特基勢驛及電遷移
    第4章 串聯電阻、溝道長度與寬度、閾值電壓及熱載流子
    第5章 缺陷
    第6章 氧化物、界面陷阱電茶及氣化物完整性
    第7章 載流子壽命
    第8章 遷移率
    第9章 光學表征
    第10章 物理化學特性的表征
    在線試讀
    第3章接觸電阻、肖特基勢壘及電遷移
    3.1簡介
    所有半導體器件都包括接觸,所有接觸都存在接觸電阻,表征這些接觸電陽.十分重要。一般來說,接觸可能是金屬-半導體接觸,但也可能是半導體-半導體接觸,這兩種半導體材料可能是單晶、多晶或非晶材料。在歐姆接觸和接觸電阻概念性的討論中,金屬-半導體接觸是常見的接觸,因此本章主要關注金屬-半導體接觸。
    在關於測量技術的討論中,接觸類型不重要,重要的是接觸材料的電阻。1874年由Braun發現的金屬-半導體接觸成為初半導體器件的基礎之一。在沒有完全理解的情況下,這種器件應用了很長一段時間。在20世紀30年代,肖特基(Schottky)提出了個可接受的理論來解釋這種器件。為了表示對肖特基的敬意,金屬-半導體器件經常被稱為肖特基勢壘器件。通常,這個名字意味著這些器件作為整流器來用時,具有明顯的非線性電流-電壓特性。
    歐姆接觸具有線性或準線性電流-電壓特性,它不一定是線性的。歐姆接觸必須能夠提供必要的器件電流,並且與器件有源區上的電壓降相比,接觸上的電壓降小。在很大的範圍內歐姆接觸不應使器件退化,並且不會注入少數載流子。除此之外,歐姆接觸的制作應是可重復的。
    一本以歐姆接觸為主題的會議論文集次對歐姆接觸進行了深入的討論。Rideout在金屬-半導體接觸理論的報告中強調了歐姆接觸,Yoder,Braslauc和Piotrowska等總結了Ⅲ~V族器件的歐姆接觸,Schroder和Meier討論了太陽能電池的歐姆接觸。Yu和Cohen已經總結了接觸電阻。在Milnes和Feucht,Sharma和Purohit,Rhoderick的書中可以找到其他相關的信息。Cohen和Gildenblat給出了很好的討論。
    ……


     
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