第 1章 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管基礎
1.1 引言
1.2 MOSFET的工作原理
1.2.1 累積 
1.2.2 耗盡
1.2.3 反型
1.2.4 強反型
1.3 MOSFET的品質因數
1.4 MOSFET器件結構的演變
1.5 小結
參考文獻
第2章器件結構小型化和演化進程
2.1 引言
2.2 尺寸和結構的縮放
2.2.1 縮放原則
2.2.2 器件結構的影響
2.2.3 無結型晶體管
2.3 光刻
2.3.1 增強分辨率 
2.3.2 二次圖形化技術
2.3.3 極紫外光刻技術 
2.3.4 掩模增強技術 
2.4 電子束光刻 
2.5 應變工程
......
第8 章先進互連技術及其可靠性
8.1 引言 
8.2 銅互連集成
8.2.1 大馬士革工藝
8.2.2 銅電阻隨互連微縮的變化 
8.2.3 新型銅互連集成方案 
8.3 low-k 介質特征和分類 
8.3.1 low-k特性
8.3.2 low-k分類和表征 
8.3.3 low-k介質集成挑戰 
8.3.4 氣隙在互連中的實現
8.4 銅與硅和介質的相互作用
8.4.1 銅與硅的相互作用
8.4.2 銅與介質的相互作用 
8.5 金屬擴散阻擋層
8.5.1 金屬間阻擋層的材料選擇 
8.5.2 金屬擴散阻擋層的沉積 
8.6 銅金屬化的可靠性
8.6.1 電遷移基礎理論 
8.6.2 應力致空洞化
8.7 先進金屬間介質的可靠性
8.7.1 金屬間介質的漏電機理 
8.7.2 金屬間介質的擊穿特性 
8.8 可靠性統計和失效模型 
8.8.1 概率分布函數 
8.8.2 擊穿加速模型
8.9 未來的互連 
8.10 小結
參考文獻
後記
原著致謝

作為 Woodhead 出版社電子學和光學材料叢書的一種，本譯作的英文版——CMOS Past，Present and Fuure 由Elsevier出版。這本書由來自中國科學院大學和中國科學院微電子研究所、歐洲微電子研發中心Imec 的同事們合作完成。
作為新近出版的一部關於 CMOS器件和制造的專業書籍，本書內容涵蓋了CMOS 器件的發展歷史、技術現狀和未來發展趨勢，對於過去 20 年中進入量產的關鍵技術模塊給出了相對繫統和深入的討論，包括 90 納米技術節點引入的锗硅應變源漏技術、45納米節點引入的高 k/金屬柵技術、超淺結技術、先進接觸技術和銅互連技術，此外對於未來有可能替代硅的高遷移率溝道材料也做了專門的講解。這些內容是過去有關超大規模集成電路的書籍所缺少的。對於從事集成電路制造的研發人員和微電子學相關專業的研究生，這本書不失為一個好的參考閱讀材料;對於就業於集成電路裝備和材料產業的技術人員，書中的相關章節也可以幫助他們更好地理解他們的產品所需要面對的問題。
囿於語言和傳播途徑上的限制，本書的英文版在中國大陸同仁中的傳播和影響力十分有限，而在大陸集成電路產業蓬勃發展的今天，這本書的中文版應該可以對從事這一產業的中文讀者有所助益。有鋻於此，上海科學技術出版社買下了該書的中文版權，並希望譯者將書稿翻譯付梓。在新冠疫情肆虐的這段日子裡，譯者遵守國家要求，居家抗疫，隨即獲得了充分的伏案時間，很快地將書稿譯完。
在翻譯過程中，譯者校訂了原著中的幾處錯誤，重畫了部分插圖。譯作保留了除索引外的全部內容。因為原索引按英文字母排序，而中文在次序上無法對應，失去了查閱的便利，故做了舍棄處理。作為原著作者之一，譯者有與各章節作者自由溝通的便利，因此，對原文中存疑之處，均與原作者做了直接討論。盡管經過多次校對，譯作中仍可能存在疏漏和錯誤之處，懇請讀者諸君給予指正。
這本譯作的出版得益於上海科學技術出版社編輯在選題上的想像力和催稿上的執著。沒有他們的努力和熱情，這個工作很可能不會有開始之日。譯者還要感謝英文原版作者H. Radamson教授和羅軍教授給予的幫助，希望本譯作真實地傳達了他們原作章節所要表達的內容。
譯者 2020年11月