20世紀60年代中期GaAs負電子親和勢半導體光電陰極的出現,有力地推動了以單晶半導體為基礎的光電陰極的發展。除了負電子親和勢半導體光電陰極外,各種場助半導體光電陰極也有很大發展。與半導體工業的融合,使得光電陰極技術的發展在一定程度上擺脫了以經驗為基礎的局面,進入了以半導體帶隙工程為基礎的科學設計新階段。
今天,半導體光電陰極不僅是用於光電探測和計量用的光電倍增管和夜視儀所用像增強器的關鍵光電轉換部件,而且作為電子加速器、自由電子激光器、同步輻射光源、電子束光刻、電子顯微鏡、太赫茲輻射器以及X射線源等方面的高亮度電子源,也表現出明顯的潛力和實用價值。半導體光電陰極的應用領域包括軍事、安全、醫學、天文、航空航天、生物化學以及光纖通信等諸多方面。
賈欣志編著的《半導體光電陰極》全面介紹半導體光電陰極的發展,各種半導體光電陰極的工作原理、制備技術、性能特點以及應用方面等。《半導體光電陰極》適合從事電子物理、電真空物理、光電成像和夜視技術領域及其他涉及光電陰極領域的科技人員、高等學校教師、研究生和高年級本科生閱讀參考。