內容簡介
輻射在半導體器件中電離產生電子-空穴對,長時間輻射劑量累積引起半導體器件電離輻射總劑量效應。電離輻射總劑量效應是輻射效應中最常見的一種,會導致器件性能退化、閾值電壓漂移、遷移率下降、動態和靜態電流增加,甚至功能失效,因此在輻射環境中工作的半導體器件和電子繫統必須考慮電離輻射總劑量效應問題。本書主要介紹空間輻射環境與效應、體硅CMOS器件電離輻射總劑量效應、雙極器件電離輻射總劑量效應、SOI器件電離輻射總劑量效應、電離輻射總劑量效應模擬試驗方法、MOS器件電離輻射總劑量效應預估、納米器件電離輻射總劑量效應與可靠性、繫統級電離輻射總劑量效應等內容。