了得網工業技術_半導體干法刻蝕技術（原書第2版） [日] 野尻一男

產品特色

編輯推薦

刻蝕是芯片制造核心工藝，《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》是泛林集團日本公司CTO四十多年研發經驗的結晶。泛林集團是全球第三大芯片設備提供商、全球第一大刻蝕設備提供商。《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》是繫統理解刻蝕基礎、設備及應用的實踐指南，全書無復雜的數學公式，初學者也能輕松看懂的刻蝕書。

內容簡介

《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》是一本全面繫統的干法刻蝕技術論著。針對干法刻蝕技術，在內容上涵蓋了從基礎知識到最新技術，使初學者能夠了解干法刻蝕的機理，而無需復雜的數值公式或方程。《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質進行了詳細解釋。《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，並介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術。

作者簡介

野尻一男，1973年於群馬大學工學部電子工學科本科畢業，1975年於群馬大學工學研究科碩士畢業。1975年加入日立制作所，在半導體事業部從事CVD、器件集成、干法刻蝕的研究開發；特別是對ECR等離子刻蝕和充電損傷進行了開創性研究；作為技術開發領域的領導者，他還擔任過多個管理職位。2000年加入泛林集團日本公司並擔任董事兼CTO。2019年，獨立並作為 Nanotech Research 的代表提供技術和管理咨詢。1989年因“磁場微波等離子體刻蝕技術的開發及實用化”獲得大河內紀念獎；1994年因“低溫干法刻蝕設備的開發”獲得日本機械工業振興會通產大臣獎；獲得2019年度DPS西澤獎。

譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章半導體集成電路的發展與干法刻蝕技術
1.1干法刻蝕的概述
1.2干法刻蝕的評價參數
1.3干法刻蝕在 LSI的高度集成中的作用
參考文獻
第2章干法刻蝕的機理
2.1等離子體基礎知識
2.1.1什麼是等離子體
2.1.2等離子體的物理量
2.1.3等離子體中的踫撞反應過程
2.2離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為

譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章半導體集成電路的發展與干法刻蝕技術
1.1干法刻蝕的概述
1.2干法刻蝕的評價參數
1.3干法刻蝕在 LSI的高度集成中的作用
參考文獻
第2章干法刻蝕的機理
2.1等離子體基礎知識
2.1.1什麼是等離子體
2.1.2等離子體的物理量
2.1.3等離子體中的踫撞反應過程
2.2離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為
2.2.1離子鞘和 Vdc
2.2.2離子鞘層中的離子散射
2.3刻蝕工藝的設置方法
2.3.1干法刻蝕的反應過程
2.3.2各向異性刻蝕的機理
2.3.3側壁保護工藝
2.3.4刻蝕速率
2.3.5選擇比
2.3.6總結
參考文獻
第3章各種材料刻蝕
3.1柵極刻蝕
3.1.1多晶硅的柵極刻蝕
3.1.2CD的晶圓面內均勻性控制
3.1.3WSi2/多晶硅的柵極刻蝕
3.1.4W/WN/多晶硅的柵極刻蝕
3.1.5Si襯底刻蝕
3.2SiO2刻蝕
3.2.1SiO2刻蝕機理
3.2.2SiO2刻蝕的關鍵參數
3.2.3SAC刻蝕
3.2.4側牆刻蝕
3.3布線刻蝕
3.3.1Al布線刻蝕
3.3.2Al布線的防後腐蝕處理技術
3.3.3其他布線材料的刻蝕
3.4總結
參考文獻
第4章干法刻蝕設備
4.1干法刻蝕設備的歷史
4.2桶式等離子體刻蝕機
4.3CCP等離子體刻蝕機
4.4磁控管 RIE
4.5ECR等離子體刻蝕機
4.6ICP等離子體刻蝕機
4.7干法刻蝕設備實例
4.8靜電卡盤
4.8.1靜電卡盤的種類及吸附原理
4.8.2晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第 5章干法刻蝕損傷
5.1Si表面層引入的損傷
5.2電荷積累損傷
5.2.1電荷積累損傷的評估方法
5.2.2產生電荷積累的機理
5.2.3各種刻蝕設備的電荷積累評估及其降低方法
5.2.4等離子體處理中柵氧化膜擊穿的機理
5.2.5因圖形導致的柵氧化膜擊穿
5.2.6溫度對柵氧化膜擊穿的影響
5.2.7基於器件設計規則的電荷積累損傷對策
參考文獻
第6章新的刻蝕技術
6.1Cu大馬士革刻蝕
6.2Low-k刻蝕
6.3使用多孔 Low-k的大馬士革布線
6.4金屬柵極 /High-k刻蝕
6.5FinFET刻蝕
6.6多重圖形化
6.6.1SADP
6.6.2SAQP
6.7用於 3D NAND/DRAM的高深寬比孔刻蝕技術
6.8用於 3D IC的刻蝕技術
參考文獻
第 7章原子層刻蝕（ALE）
7.1ALE的原理
7.2ALE的特性
7.2.1Si、GaN和 W的 ALE工藝順序
7.2.2自限性反應
7.2.3去除步驟中 EPC的離子能量依賴性
7.2.4表面平坦度
7.3ALE的協同效應
7.4影響 EPC和濺射閾值的參數
7.5SiO2 ALE
7.6總結
參考文獻
第 8章未來的挑戰和展望
8.1干法刻蝕技術革新
8.2今後的課題和展望
8.3工程師的準備工作
參考文獻

前言

第1版前言
干法刻蝕技術作為實現半導體器件尺寸微縮、集成度提升的手段，是與光刻技術相媲美的關鍵技術，從事干法刻蝕的工程師數量也與光刻技術一樣多。光刻技術比較容易理解，分辨率是由光的波長和 NA（數值孔徑）決定的。但是，干法刻蝕技術因在腔體內發生的現像比較復雜，因而不太容易理解。此外，由於使用等離子體通過物理和化學反應來進行刻蝕，因此需要全面的電學、物理學和化學知識。在許多情況下，從事干法刻蝕的工程師依靠經驗和直覺來開展工作。各向異性刻蝕是如何實現的？為何Si刻蝕使用Cl2和HBr？SiO2刻蝕中能使用 CF繫氣體嗎？多晶硅和Al刻蝕中可以使用ICP（電感耦合型等離子體）等高密度等離子體，SiO2刻蝕中可以使用具有中密度等離子體的窄間隙平行板型刻蝕機嗎？很多初學者在沒有完全理解這些相關知識的情況下就進入到該領域，即使是經驗豐富的干法刻蝕工程師也存在不能完全理解的情況。

第1版前言
干法刻蝕技術作為實現半導體器件尺寸微縮、集成度提升的手段，是與光刻技術相媲美的關鍵技術，從事干法刻蝕的工程師數量也與光刻技術一樣多。光刻技術比較容易理解，分辨率是由光的波長和 NA（數值孔徑）決定的。但是，干法刻蝕技術因在腔體內發生的現像比較復雜，因而不太容易理解。此外，由於使用等離子體通過物理和化學反應來進行刻蝕，因此需要全面的電學、物理學和化學知識。在許多情況下，從事干法刻蝕的工程師依靠經驗和直覺來開展工作。各向異性刻蝕是如何實現的？為何Si刻蝕使用Cl2和HBr？SiO2刻蝕中能使用 CF繫氣體嗎？多晶硅和Al刻蝕中可以使用ICP（電感耦合型等離子體）等高密度等離子體，SiO2刻蝕中可以使用具有中密度等離子體的窄間隙平行板型刻蝕機嗎？很多初學者在沒有完全理解這些相關知識的情況下就進入到該領域，即使是經驗豐富的干法刻蝕工程師也存在不能完全理解的情況。
干法刻蝕往往隱匿於光刻之後，但正如開篇所說，它是可與光刻技術形成雙壁的關鍵技術。也就是說，1）Si、SiO2、金屬等各種材料都有其固有的設備和工藝技術；2）Cu大馬士革布線加工、新材料加工等新研究領域層出不窮；3）使用帶電粒子造成的等離子體損傷是導致器件性能下降的主要原因，需要闡明機理並采取對策；4）目前，對於已成為研究熱點的雙重圖形化，干法刻蝕變得比光刻更為重要，它可以決定器件的尺寸精度和偏差。對於今後想從事與如此廣泛的材料相關並在未來變得越來越復雜的加工技術的工程師來說，應該對干法刻蝕技術有充分的了解，這就需要一本面向初學者的教科書。
與以往的書籍不同，《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》采用獨特的方法，旨在幫助初學者了解干法刻蝕技術從基礎到應用的全部知識。迄今為止，大多數干法刻蝕書籍都在著重強調難懂的等離子體理論，或是在羅列干法刻蝕技術的數據。《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》的編寫盡可能做到不使用數學公式也能讓初學者輕松理解干法刻蝕的機理。此外，從工藝、設備到新技術等，都經過了繫統的考慮。同時，還設置了等離子體損傷的章節，其特色之一就是可以理解等離子體損傷的全貌。
《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》不僅可以讓初學者比較容易地理解干法刻蝕技術的原理，而且還可以讓其獲得更接近於實踐的知識。此外，雖然《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》是為初學者編寫的，但也可以讓有一定經驗積累的工程師們了解干法刻蝕技術的全貌。希望《半導體干法刻蝕技術（原書第2版）》能夠成為從事干法刻蝕相關工作的工程師們開展工作的指南。
野尻一男

商品搜索

商品分类

【醫學】

【各大出版社】