在本章，我們考慮這些參數如何受不均勻性的影響。但是，我們注意到，關鍵因子是N（1）和W+het，因為對於大多數的形狀而言，k+（n*）Z近似於分子的跳躍頻率。首先，必須謹慎地定義形核率。例如，在襯底上形核，形核率定義為單位面積襯底上的形核數比較適當。另一方面，定義單位體積的形核率可能更為有用，它涉及單位面積速率以及分散在單位體積的襯底的總面積。在控制Ist的參數中，主要焦點是W*het，因為異質形核的重要性來自這一小於均質形核的臨界功。但是，前置因子Ⅳ（1）也同樣重要：對於均質形核，它表示單位體積分子的總數；然而對於異質形核，它表示與相關異質接觸的分子數，其數量大為減少。類似於第3章第1節（圖3.1）的處理方法，我們同樣也考慮異質形核的瞬態時間，並且發現它與均質形核相比可長可短。為簡單起見，本章主要關體繫；合金體繫的處理方法類似於第5章。

2.界面上形核

對於形核而言，任何界面都是重要的異質相。舉例來說，自由表面、容器壁的接觸處、鑲嵌粒子的表面、液體或固體的相界面，以及固體內部晶界或者疇界。上述界面都具有正的自由能，當形成核胚時，部分界面的有效消除有利於異質形核。在大多數情況下，我們所關心的是與第三相接觸而發生的轉變，如α相到β相的轉變，其中第三相構成形核襯底。我們會看到與襯底的相互作用可如同於完全移除新相形核的能壘。在2.1節，在專門討論形核前，我們首先考慮三相相互作用方面的問題。

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