內容簡介
金剛石具有寬禁帶、高熱導率、高本征溫度、高載流子遷移率、高擊穿電壓及良好的抗輻射特性等優點,被認為是新一代理想的半導體材料,制成的金剛石場效應管、肖特基二極管等器件可在航空航天等惡劣條件下工作。在作者近10年來從事寬禁帶半導體金剛石晶體缺陷表征研究工作的基礎上,本書繫統地介紹金剛石本征缺陷與雜質缺陷的光致發光特性,並在此基礎上構建缺陷結構模型,揭示光致變色機理。
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