第一章 存儲器件 
第一節 動態隨機存取存儲器 （ＤＲＡＭ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析
第二節 三維 ＮＡＮＤ閃存
一、專利技術綜述
二、檢索策略及案例解析
第三節 新型隨機存儲器
一、ＲＲＡＭ專利技術綜述 
二、ＭＲＡＭ專利技術綜述
三、檢索策略及案例解析 
第四節 專利申請文件撰寫 
一、撰寫特點 
二、常見問題分析 
三、典型案例 
第二章 功率器件 
第一節 絕緣柵雙極型場效應晶體管 （ＩＧＢＴ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第二節 雙擴散金屬氧化物半導體晶體管 （ＤＭＯＳ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第三節 高電子遷移率晶體管 （ＨＥＭＴ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第四節 專利申請文件撰寫 
一、撰寫特點 
二、常見問題分析 
三、典型案例 
第三章 新型封裝 
第一節 繫統級封裝 （ＳｉＰ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第二節 晶圓級封裝 （ＷＬＰ） 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第三節 三維 （Ｄ）封裝 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第四節 專利申請文件撰寫 
一、撰寫特點 
二、常見問題分析 
三、典型案例 
第四章 新型顯示 
第一節 有機發光二極管 （ＯＬＥＤ）顯示
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第二節 微型發光二極管 （ＭｉｃｒｏＬＥＤ）顯示
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第三節 量子點顯示 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第四節 專利申請文件撰寫 
一、撰寫特點 
二、常見問題分析 
三、典型案例 
第五章 高效率太陽能電池 
第一節 鈣鈦礦 （ＰＳＣ）太陽能電池 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第二節 本征薄膜異質結 （ＨＩＴ）太陽能電池 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第三節 隧穿氧化層鈍化接觸 （ＴＯＰＣｏｎ）太陽能電池 
一、專利技術綜述 
二、檢索策略及案例解析 
第四節 專利申請文件撰寫 
一、撰寫特點 
二、常見問題分析 
三、典型案例 
  

在 “十四五”背景下，隨著知識產權強國戰略地位的不斷提升，半導體產業步入加速發展階段，同時新興產業的崛起，推動半導體產業技術不斷更新換代，其專利作為重要的技術創新成果，具有很高的產業價值，因此半導體領域的專利申請備受創新主體和社會大眾的關注。
本書圍繞半導體領域技術發展迅速、備受市場關注的五個技術領域，即存儲器件、功率器件、新型封裝、新型顯示和高效率太陽能電池，並選取每個技術領域的重點子領域作為研究對像，以國內外發明專利申請為切入點，介紹各領域的專利技術發展狀況和專利申請保護現狀，並針對重點申請人和重點技術進行詳細闡述。在此基礎上，介紹各領域專利文獻檢索的特點、檢索策略和主要檢索要素，並通過實際案例進行解析。最後，介紹各領域專利申請文件撰寫的特點，分析申請文件撰寫中的常見問題，並結合典型案例給出撰寫建議。
本書內容全面，受眾廣泛，既包括對專利技術現狀的分析，又包括對專利檢索和專利申請文件撰寫的介紹，對該領域創新主體、相關研發人員以及專利工作人員具有一定的借鋻意義。
本書使用說明：
１.專利技術綜述部分的分析，主要以全球專利文獻數據庫 （德溫特世界專利索引數據庫，ＤＷＰＩ）作為專利數據采集的數據庫，檢索範圍包括 ２０２２年 ２月 ２８日以前公開的專利申請數據；由於專利申請從提出申請到公開有一定時間間隔，專利申請從公開到被收錄至專利文獻數據庫也存在時間滯後性，因此２０２０—２０２１年的數據均與實際量存在偏差，少於實際的申請量；同一項發明可能在多個國家或地區提出專利申請，ＤＷＰＩ數據庫將這些相關申請作為一條記錄收錄，在進行專利申請數量統計時，計算為 “１項”，在統計不同國家、地區所提出的專利申請的分布時，已將不同國家同族分開進行統計，因此在此情況下對專利申請數量用 “件”進行計數。
２. 在專利技術綜述部分的專利申請來源和目標國家／地區分析中，所提及的在 “歐洲”的專利申請，是指向歐洲專利局 （EPO）提出的申請專利。由於專利保護具有地域性特點，中國臺灣地區有獨立的專利申請體繫，故本書將中國臺灣地區的數據單列闡釋。
３. 檢索策略和案例分析部分，其中使用的 IPC分類號版本為 2022.01版，CPC分類號版本為 2022.05版。
４. 本書中的 《專利法》是指 《中華人民共和國專利法》（２０２０修正），《專利法實施細則》是指 《中華人民共和國專利法實施細則 （２０１０）》，《專利審查指南》是指 《專利審查指南 ２０１０（２０１９年修訂）》。
本書撰寫分工如下：第一章撰寫人為王興妍、車曉璐、甄麗娟；第二章撰寫人為王丹、章放、丁寧；第三章撰寫人為楊子芳、李曉明、紀騁；第四章撰寫人為楊子芳、楊麗麗、齊哲；第五章撰寫人為王丹、柴春英、陳澤。全書統稿人為王興妍、王丹、楊子芳。此外，楊賀參與第二章部分檢索工作，在此一並表示感謝。